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飞兆新型低导通电阻30/40V MOSFET可满足汽车设计高效率要求

来源:<a href='http://bbs.hqew.com/viewthread.php?tid=336542' target='_blank'>liuxianping</a> 作者:华仔 浏览:739

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摘要: 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)扩充其AEC-Q101认证的30V和40VMOSFET产品系列,推出11种新型器件。这些低压PowerTrenchMOSFET专为优化汽车应用的效率、性能和线路板空间而设计,其应用包括动力转向、集成启动器/交流发电机,以及电机和螺线管驱动器设计等。飞兆半导体的30/40VMOSFET是要求高电流密度和低功耗系统的理想选择,并根据汽车市场的最新发展趋势,从机械方式进展为机电方式。飞兆公半导体的30/40VMOSFET的RDS(on

    飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 扩充其AEC-Q101认证的30V和40V MOSFET产品系列,推出11种新型器件。这些低压PowerTrench MOSFET专为优化汽车应用的效率、性能和线路板空间而设计,其应用包括动力转向、集成启动器/交流发电机,以及电机和螺线管驱动器设计等。


飞兆半导体的30/40V MOSFET是要求高电流密度和低功耗系统的理想选择,并根据汽车市场的最新发展趋势,从机械方式进展为机电方式。飞兆公半导体的30/40V MOSFET的RDS(on)低至2.0m Ohms,据称是业界导通电阻最低的器件之一。除了性能方面的改善,这些器件还可节省线路板空间,因为一个飞兆半导体的低RDS(on) MOSFET可替代两个在这些设计中传统使用较高RDS(on)的MOSFET。而且,这些MOSFET能满足UIS要求并达到严格的AEC-Q101汽车标准,可在严酷的电气环境中提供高可靠性以保证其“坚固性”。

飞兆半导体功能功率部汽车功率产品副总裁Paul Leonard称:“飞兆半导体的新型30V MOSFET如2.3m Ohm FDB8860 器件,提供的导通电阻仅为55V或60V MOSFET的一半,因此能降低功耗至高压器件的二分之一。在汽车设计中,低导通电阻意味着更高的效率,因为功耗低及热量的产生较少。除了面向30V和40V应用的11种新器件外,飞兆半导体将继续扩充全线的车用MOSFET产品系列,以便更好地协助客户满足这个快速变化的市场需求。”

飞兆半导体面向汽车应用的MOSFET经鉴定达到ISO/TS 16949 标准。这标准是业界逐步开发适用于整个汽车供应链的单一标准的成果,包括设计/开发、生产及汽车组件的安装和服务。这个标准由国际汽车特别工作组 (IATF) 起草,获得国际承认,并已成为北美和欧洲许多汽车OEM厂商的强制性要求。

这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。目前这些器件已经开始供货,收货期为收到订单后4至12周内。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67