全球快闪记忆体大厂SanDisk(NASDAQ: SNDK)今日宣布推出以19奈米记忆体制程技术之64GB x2 (2-bits-per-cell )记忆体晶片，预计今年下半年量产，而这项最新的技术将有助SanDisk日后针对手机、平板电脑与其他装置，推出兼具高容量与小尺寸的嵌入式可抽取储存装置。

    日本311东北强震不影响NAND Flash厂持续投入先进制程的脚步，东芝与SanDisk携手合作，迈入19奈米世代。SanDisk执行副总裁暨技术长Yoram Cedar表示，预计本季将此19奈米64GB X2晶片送样，并自2011年下半年开始量产，同时也会将推出19奈米X3 (3-bits-per-cell)晶片。

    Yoram Cedar指出，与东芝(Toshiba)的持续合作下，领先业界推出这款采用19奈米制程技术，且尺寸最小、成本最低的NAND flash晶片，此成果主要针对日后更创新的应用、尺寸和消费者使用经验所设计，预计也将持续推升快闪记忆体的产业发展至更高的境界。

    Yoram Cedar也强调，SanDisk拥有专利All-Bit-Line (ABL) 架构，和多层资料储存管理方案，有助于生产多层电路元(Multi-level Cell, MLC) NAND flash晶片，而无需担心其效能或稳定度。