在恒忆(Numonyx)尚未成立之时，Intel等公司就先后发表演说，大力进行PCM(相变存储器)技术的宣传。PCM，实际上就是利用硫族化合物在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来测量电阻，从而读取数据的，而储存数据则采用通过加热方式改变硫族化合物的状态。不过由于材料、制程工艺及功耗的原因，PCM一直未能成功进入商用领域。

      可以看到，读写操作都是通过电流来衡量，功耗相对于其他存储产品来说能够节约不少

首款嵌入式系列产品问世

      日前，恒忆宣布已率先推出第一代量产的Omneo系列相变存储器，这也标志着PCM正式进入市场。根据恒忆的解释，Omneo品牌代表相变存储器适用于嵌入式设计领域所有应用的内在能力(“omni”)和新一类存储器(“neo”)。

      此次，Omneo系列发布了两款产品，包括串口(SPI) P5Q以及X16并口P8P两款128Mb产品，均采用90nm工艺。恒忆亚太区嵌入式业务总经理徐宏来预计，到2012年，45nm产品推出后，市场总规模将扩大到10亿美元。

      两款产品发布，P5Q为串行接口的新产品。

      Omneo产品的推出，势必会引起嵌入式存储领域的变革，关键原因是可以取代NOR和EEPROM的这种搭配。

存储器技术比较

      由于PCM采用了位修改方式，因此相对于FLASH的BLOCK擦除方式来说，写操作会迅速得多。而读取速度与NOR不相上下。更重要的是，由于是相变原理，因此擦写次数可达100万次，稳定性远远超过FLASH。并且，随着工艺节点的演进，15nm可能是FLASH的极限，而预计PCM可达到7、8nm的制程。

      徐宏来透露，目前恒忆正在进行DDRX的设计，可以提供非易失性的DDR，尽管写入速度不如RAM，但对于数据中心等需要大规模读取的应用场合来讲，一旦PCM替代DDR则能够极大降低服务器功耗。“一旦DRAM被PCM取代的话，存储器竞争体系将会被重新书写。”徐宏来说道。