RF功率器件具有增强的耐用性和在很宽的频率范围内的宽带运营的市场需求，飞思卡尔半导体（NYSE：FSL， ）介绍了两个高度灵活的设计，提供射频功率产品制造使用的线性度和耐用性的一个新的水平设备的LDMOS工艺技术。
新器件是25瓦MRFE6VS25N和100瓦MRFE6VP100H的。在整个工作频率范围内提供完整的CW额定功率的能力，都旨在提高系统的可靠性，同时减少放大器设计的复杂性和成本。
该设备代表了一个类似的应用程序设计的氮化镓为基础的解决方案的竞争力的替代，具有处理能力的阻抗不匹配（VSWR大于65:1），具有出色的线性度在显着降低设备成本。宽带的LDMOS FET s的设计完美下工作条件极为恶劣，生存能力和可用性是至关重要的。目标应用包括高频UHF发射机和收发器，电视发射机，白色的空间数据收发器，航空航天/国防系统，测试设备和雷达系统。
飞思卡尔的RF部副总裁和总经理Ritu Favre表示，“随着这些新产品，飞思卡尔正在扩展其射频功率足迹超出了无线基础设施到相邻的，高增长的市场空间和”。“这些新产品的卓越性能和耐用证明极具吸引力的客户和应用范围广泛。”
该器件采用飞思卡尔的低热阻封装，其目的是最大限度地减少内部温度升高，并提高长期可靠性，同时降低了热管理问题。该器件还集成了广泛的工作条件，加强对电路的稳定性，简化了外部电路的内部网络。为了保证最佳的耐用性，飞思卡尔测试设备，远远超出了正常运行的条件下，评估他们在额定工作电压的20％以上的两倍额定RF与65:1的输入功率，驻波比不匹配。
应用多功能
宽带频率覆盖范围的MRFE6VS25N和MRFE6VP100H允许设计师使用单一放大器覆盖多个频段，如1.8到54兆赫和30至512兆赫。结果是减少了材料，较小的放大器尺寸和重量，降低开关损耗和冷却开销少法案。该产品提供成本低于可比氮化镓（GaN）设备相结合的宽带能力，耐用性和较宽的频率范围。
，为MRFE6VS25N和MRFE6VP100H规格包括：
- MRFE6VS25N：25瓦CW，超过26分贝的增益从1.8到30兆赫，512兆赫超过25分贝，50％至73％的效率，并到> 65:1全额定性能的VSWR。
- MRFE6VP100H：100瓦CW，在512 MHz的增益为26 dB，从30至512兆赫超过19分贝，40％至71％的效率，并到> 65:1全额定性能的VSWR。
MRFE6VS25N晶体管被安置在飞思卡尔的TO-270-2超模压塑料封装和MRFE6VP100H/HS晶体管飞思卡尔的NI-780-4和NI-780S-4空气腔封装内。
