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电感元件储能(Energy)

来源:一步电子网 作者:—— 浏览:258

标签:

摘要: ic 磁心无气隙时电感储能式中 Vc——磁心体积;△B=B2-B1;B2、B1——积分的上下限。当B1=0、B2=B时,则有磁心有气隙时,式中 Vδ——气隙体积。式(6-16)~式(6-18)说明,磁能与绕组匝数无关。有气隙时,由于等效磁导率μe下降,磁能E上升,大部分磁场能量储存在气隙中。为产生相同的B,有气隙时需要更大的励磁安匝Wi,因而绕组的铜损耗增加。 欢迎来一步电

ic  磁心无气隙时电感储能

 式中   Vc——磁心体积;△B=B2-B1;

  B2、B1——积分的上下限。

  当B1=0、B2=B时,则有

磁心有气隙时,

式中 Vδ——气隙体积。

  式(6-16)~式(6-18)说明,磁能与绕组匝数无关。有气隙时,由于等效磁导率μe下降,磁能E上升,大部分磁场能量储存在气隙中。为产生相同的B,有气隙时需要更大的励磁安匝Wi,因而绕组的铜损耗增加。

 


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