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摘要: ic 磁心无气隙时电感储能式中 Vc——磁心体积;△B=B2-B1;B2、B1——积分的上下限。当B1=0、B2=B时,则有磁心有气隙时,式中 Vδ——气隙体积。式(6-16)~式(6-18)说明,磁能与绕组匝数无关。有气隙时,由于等效磁导率μe下降,磁能E上升,大部分磁场能量储存在气隙中。为产生相同的B,有气隙时需要更大的励磁安匝Wi,因而绕组的铜损耗增加。 欢迎来一步电
ic 磁心无气隙时电感储能
式中 Vc——磁心体积;△B=B2-B1;
B2、B1——积分的上下限。
当B1=0、B2=B时,则有
磁心有气隙时,
式中 Vδ——气隙体积。
式(6-16)~式(6-18)说明,磁能与绕组匝数无关。有气隙时,由于等效磁导率μe下降,磁能E上升,大部分磁场能量储存在气隙中。为产生相同的B,有气隙时需要更大的励磁安匝Wi,因而绕组的铜损耗增加。
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |