华邦推出256Mb低功率DRAM，符合JEDEC标准

来源：中国电子元器件产业网作者：—— 浏览：330 时间：2016-08-10 14:18

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摘要：华邦电子针对移动设备应用特性，推出一系列低功率动态内存，并在eMEX 2006中展出。其中包括一款容量256Mb的低功率DRAM，W988D6E/W988D2E。产品重要特性如下： ·符合JEDEC标准 ·容量256Mb(4M×4bank×16, 2M×4 bank×32) ·低工作电压/输出入电压：1.8V ·主频率133MHz 低功率SDR/DD

华邦电子针对移动设备应用特性，推出一系列低功率动态内存，并在eMEX 2006中展出。其中包括一款容量256Mb的低功率DRAM，W988D6E/W988D2E。产品重要特性如下：

·符合JEDEC标准
·容量256Mb(4M×4bank×16, 2M×4 bank×32)
·低工作电压/输出入电压：1.8V
·主频率133MHz
低功率SDR/DDR将成主流。近年来手机市场成长的主要动力，除了新技术与平台的商务化运转，在数字相机、MP3等多媒体功能、新一代3G传输标准、热门话题Mobile TV的发展下，都带动了成熟市场内换机潮的兴起。此外移动设备规格日新月异，对内存需求成倍数成长，低功率动态内存特性正符合此市场的要求。
其目标市场包括：低端智能手机、中高端数字照相机、全球定位系统(GPS)、MP3播放器、PDA等。有别于Pseudo SRAM无统一标准，华邦电子该系列DRAM遵循JEDEC标准，在功能及脚位定义符合标准，方便使用者寻求备用方案。

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型号	厂商	价格
EPCOS	爱普科斯	/
STM32F103RCT6	ST	￥461.23
STM32F103C8T6	ST	￥84
STM32F103VET6	ST	￥426.57
STM32F103RET6	ST	￥780.82
STM8S003F3P6	ST	￥10.62
STM32F103VCT6	ST	￥275.84
STM32F103CBT6	ST	￥130.66
STM32F030C8T6	ST	￥18.11
N76E003AT20	NUVOTON	￥9.67

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