据日经BP社网站报道，美国IBM与美国AMD共同开发出了用于微处理器的45nm半导体制造技术。采用的主要技术除NA为1.2的液浸ArF曝光技术外，还包括相对介电常数仅为2.4的多孔质low-k膜（低介电率层间绝缘膜）以及多种应变硅晶体管等，并使用SOI晶圆。预计2008年中期投产采用上述技术的45nm工艺微处理器。

利用液浸ArF曝光技术，与采用ArF曝光技术相比，可提高微处理器的芯片性能和生产效率。比如，微处理器中内置的SRAM单元的性能可提高约15%。SRAM的存储单元面积为0.37平方微米。

通过采用多孔质low-k膜，可以减少芯片内的布线容量、关键路径的布线延迟时间以及耗电量。与原来的low-k膜相比，布线延迟时间可缩短约15%。

另外，通过运用多种应变硅晶体管技术，增加了单位面积的晶体管数，同时提高了晶体管性能。与未采用应变硅晶体管技术时相比，p通道晶体管的导通电流约增大80%，n通道晶体管的导通电流约增大24%。据两公司介绍，此次实现了迄今为止论文发表中的最高性能。

IBM和AMD自2003年1月开始共同开发尖端半导体制造技术。2005年11月，两公司宣布将合作关系延长到2011年，并表示还将共同开发32nm和22nm制造技术。