据日经BP社报道，日本京瓷将从2007年10月起，开始将工序减至原来的1/2、设备成本降至原来1/10，并全面完成晶圆凸点（Wafer Bump）业务的开发。新工序主要是通过利用在制造热转印打印头过程中积累起来的非电解电镀技术和高精度丝网印刷技术，达到降低成本的目的。

一般来说，在晶圆上形成凸点，需要在焊盘上局部形成阻隔膜和焊锡膜。原来使用电解电镀的方法时，如果要想仅在焊盘上形成凸点，还需要抗蚀工序。而此次不同的是，先利用能够对金属露出部分进行选择性成膜的非电解电镀形成阻隔膜后，再通过丝网印刷形成焊锡膜，因而无需进行抗蚀处理。

凸点高50微米，凸点间距最小为120微米。晶圆直径支持125mm、150mm及200mm三种。日本鹿儿岛隼人工厂将承担该业务，目标是首年度实现5亿日元的销售额。此次的晶圆凸点形成技术自2002年开始一直应用于京瓷产品。该技术的详细内容将在07年9月12～14日于东京有明国际会展中心举办的“第9届自动识别展”上公布。