据日经BP社报道，韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）开发出了层叠24层25μm厚的NAND型闪存MCP（多芯片封装），总厚度仅为1.4mm。在此前开发的MCP产品中，层叠的芯片最多。

新开发的技术内容包括，使下层芯片可以支撑上层芯片的分层层叠技术；可实现分层层叠的LSI内部电路重布线技术；使层叠更加容易的重布线优化技术；将重布线后的半导体芯片厚度降至A4纸1/4的技术；使用WBL（wafer backside lamination）胶带，减少芯片间连接部件的技术。

理论上，采用以上新技术，用16Gbit的NAND型闪存来制造MCP产品的话，可以制造出容量为384Gbit（48GB）的存储器。