据日经BP社报道，美国Kyma Technologies与美国北卡罗来纳州立大学的研究小组从c面GaN底板上切下m面，使其再生长，试制出了m面GaN衬底。并在2007年9月16－21日于美国拉斯维加斯举行的“ICNS-7”上进行了发布。

GaN结晶m面是一种非极性面。所谓非极性面是指与GaN结晶通常使用的c面互相垂直的面。GaN系LED、半导体激光器、高频元件以及电源电路的开关元件等，通常使用GaN结晶的c面。使用非极性面的话，估计可以提高GaN系半导体元件的特性。比如，发光元件，有可能提高发光效率。因此，近来关于非极性面的研发非常活跃，对非极性面衬底的要求也越来越高。除该小组外，日本三菱化学也在致力于非极性衬底的研发。

此次的试制品通过使从GaN结晶（沿c轴方向生长）上切下的m面GaN衬底再生长而实现。c轴方向和m轴方向的生长均利用了HVPE法。切下m面之后利用CMP进行了研磨，尺寸为4mm×8mm，位错密度为每平方厘米105－106。