NAND Flash产业进入30奈米和40奈米制程世代效应浮现，由于高阶制程都以生产32Gb和64Gb高容量芯片为主，因此高容量产品单价明显受到压抑。值得注意的是，继东芝(Toshiba)的3-bit-per-cell的MLC产品率先量产后，美光(Micron)以34奈米制程推出的3-bit-per-cell产品也正式量产，宣布全球3-bit-per-cell时代的来临，且令全球震撼之处在于，美光同时将宣布进入20奈米制程世代，再度将三星(Samsung Electronics)和东芝甩在后头。

NAND Flash技术最早从SLC技术，每单位储存1个位，而进展到MLC技术后，每颗NAND Flash芯片每单位储存2个位，显示其中的内存容量加倍，而目前全球MLC和SLC技术产品的比重是9:1，然从2009年起，东芝率先量产3-bit-per-cell的MLC产品，意即在每单位芯片中，可储存3个位，让NAND Flash内存的容量再加倍，成本再下降，将全球NAND Flash产业技术推向另一个全新层次。

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继东芝的3-bit-per-cell产品量产之后，美光和英特尔阵营采用34奈米制程的3-bit-per-cell产品，也将于第4季正式进入量产，从32Gb芯片切入，此消息让业界相当震撼，因为龙头厂三星目前最头痛之处，也是最大隐忧在于，3-bit-per-cell技术上仍无法完全追上东芝，如今美光和英特尔又宣布3-bit-per-cell技术即将量产，想必会带给三星一定压力。

记忆卡业者指出，3-bit-per-cell产品的成熟和大量化，会让快闪记忆卡和随身碟产品的价格再下降，有机会刺激另一波终端需求出笼，但值得注意的是，3-bit-per-cell产品虽然成本降低很多，但效能也较差，只适合用在中低价为的随身碟和记忆卡上，并无法用在固态硬盘(SSD)上，因此，未来3-bit-per-cell和MLC应用的产品类别，仍是有区隔性。

美光内存事业部副总裁Brian Shirley表示，未来3-bit-per-cell产品会是产品蓝图中，相当重要的一块，也更重要的是，美光和英特尔除了在34奈米制程技术上领先外，将于下半年进入20奈米制程世代。

内存业者表示，美光和英特尔宣布将进入20奈米制程世代，无疑是对NAND Flash产业投下另一颗震撼弹，也会再度让东芝和三星绷紧神经，三星和东芝下半年才要量产30奈米产品，但美光却要进入20奈米世代，未来三星、东芝、英特尔和美光阵营间的差距会越来越小，竞争将越来越激烈。

惟对于终端消费者而言，未来购买NAND Flash相关产品，绝对是越来越便宜，且SSD成熟的时间点也越来越接近。
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