瑞萨电子于2010年7月29日公布了2010财年第一季度（2010年4～6月）的结算报告。销售额为与上年同期相比增加24％的2920亿日元，半导体销售额为同比增加25％的2615亿日元，营业亏损为同比改善436亿日元的3亿日元，净亏损为同比改善114亿日元的331亿日元。

　　净亏损331亿日元是因为计入了331亿日元的生产线减值损失。具体为分别对山形的300mm生产线和美国罗斯维尔（Roseville）的200mm生产线进行了减值处理。不同业务的销售额方面，SoC为同比减少3％的777亿日元，微处理器为同比增加42％的993亿日元，模拟及功率半导体为同比增加45％的826亿日元。

　　2010财年的全财年业绩预期方面，预计销售额为较上财年增加12％的1万亿1900亿日元，比2010年5月11日发布的数值上调了200亿日元。预计营业损益为比上财年改善1202亿日元的盈利70亿日元，净亏损为比上财年改善577亿日元的亏损800亿日元。净亏损800亿日元是因为计入了合计约770亿日元的特别亏损，其中因生产结构调整对策计入约530亿日元、因提高人力效率的对策（人员削减和再配置）计入约240亿日元。另外，不同业务的销售额相对于上财年的增长率方面，SoC为10％～15％，微控制器为15％～20％，模拟及功率半导体为15％～20％。

　　2010年4月1日由瑞萨科技与NEC电子经营合并而成的瑞萨电子，在公司上下推进了合并100天内决定业务构造改革框架的“百日计划”（参阅本站报道）。此次，瑞萨电子报告了该计划的推进结果。结果如下。

　　首先，销售额方面，将把2010～2012财年的年平均增长率提高至7～10％。为此，瑞萨电子将业务领域分为“扩大及增长业务”、“现行及核心业务”以及“缩小业务”三部分，把经营资源集中到扩大及增长业务中。另外，2012财年的海外销售额比例将由2010财年的50％增至60％以上。

　　在SoC业务中，将面向通信基础设施、多媒体基础设施以及产业基础设施的业务定位为扩大及增长业务。面向通信基础设施的业务方面，计划通过收购芬兰诺基亚的通信调制解调器部门加以强化（参阅本站报道）。反之，“市场增长性较低的产品、低收益产品以及风险较高的部分尖端ASIC等业务将缩小”（瑞萨电子代表董事社长赤尾秦氏）。

　　在微控制器业务方面，将产品分为“高端”、“中端”以及“低端”三部分，对五种处理器内核进行了分类。高端包括“V850”和“SuperH”，中端包括“RX”，低端包括“78K”和“R8C”。均定位为增长领域，没有缩小业务的计划。另外，为了强化在中国的微控制器业务，将任用中国当地职员为负责人，于2010年10月1日在中国的当地销售法人内成立全面负责从市场营销到设计、销售和生产（后工序）的组织。

　　在模拟及功率半导体业务中，将电源领域和汽车领域定位为扩大及增长领域，还将致力于与微处理器组合使用的套件解决方案（Kit Solution）等。

　　因经营合并而带来的协同效应方面，预计2010～2012财年将累计实现约400亿日元的成本削减效应。这得益于对开发环境、技术平台以及各种基础设施进行合并而带来的效应。销售渠道方面，将把日本国内的代理店减少一半实现优化。

　　得益于2010财年计入770亿日元的特别亏损后实施的结构改革，以及经营合并带来的协同效应这两方面因素，预计2010～2012财年累计将实现约1100亿日元的成本削减效应。在结构改革方面，将主要在2010财年实施5000人规模的人力效率化对策。5000人中的1000人为内部调动，因此实际将削减4000人。另外，收购诺基亚的通信调制解调器部门后将增加1100人，因此实际裁员数量相当于3000人。

　　尖端工艺方面，山形及那珂300mm生产线所支持的技术工艺只到40nm工艺，将冻结之后的微细化开发和量产。32/28nm工艺以后尖端工艺产品的量产，将全面委托给台湾台积电（TSMC）和美国GLOBALFOUNDRIES。另外，新一代半导体工艺的研发，将整合到与美国IBM之间的共同研究中。
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