Microsemi公司宣布1011GN-700ELM的，在一个家庭中的无线电频率（RF）晶体管高功率空中交通管制（ATC）的第一，二次监视无线电（SSR）的应用。，SSR是用来发送消息到该机搭载一个雷达应答器和收集的信息，使空中交通管制，识别，跟踪和测量，特别是飞机的位置。Microsemi的新的700瓦（W）峰值1011GN-700ELM在1030兆赫（MHz），支持短期和长脉冲扩展长度的消息（ELM）。新的晶体管是基于氮化镓（GaN）的碳化硅（SiC）的技术，这是特别适合用于高功率电子应用。

Microsemi的RF集成系统产品的副总裁大卫霍尔说：“我们正在积极推动下一代氮化镓SiC功率器件，以满足不断增长的机会，更高的性能的航空航天和军事应用的发展，。“今天的新产品的推出，我们现在提供高度可靠的GaN，SiC晶体管在250，500和700瓦的二次监视雷达搜索和跟踪应用程序。我们也有一些额外的GaN的SiC晶体管的发展，我们将推出今年晚些时候。“ 
Microsemi公司即将推出的产品系列包括多个高脉冲功率GaN，SiC晶体管为L，S，C-波段雷达系统。该公司还提供了一整套的GaN微波功率器件，其中包括以下的S-波段雷达型号：2729GN-150，2729GN-270，2731GN-110M，2731GN-200M，3135GN-100M的，3135GN-170M的，2735GN-35M的和2735GN-100M。几个新产品正在开发中的L-波段覆盖960至1215兆赫的航空产品覆盖1200-1400MHz的L-波段雷达和S-波段雷达，覆盖2.7-2.9 GHz的高功率器件。

关于1011GN-700ELM RF晶体管的
，1011GN-700ELM晶体管提供无与伦比的性能，700W的峰值功率为21分贝（dB）在1030兆赫，功率增益和70％的漏极效率，以提高整体减少漏电流和散热。其他产品的主要特点包括：

• 短期和长期的脉冲爆裂格式：ELM = 2.4毫秒，64％和6.4％有限公司
• 出色的输出功率：700W
• 高功率增益：> 21 dB最小
• 控制动态范围：1.0分贝的增量，15 dB总
• 漏偏压 - VDD +65 V

系统，实现与GaN，SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）的好处包括：

• 单端设计，简化的阻抗匹配，更换需要其他级别相结合的低功率设备
• 最高的峰值功率和功率增益降低系统的功率阶段和最后阶段相结合
• 单级对与利润率为1.3千瓦（kW），四通相结合，提供完整的系统，4千瓦
• 高工作电压在65伏电源的尺寸和直流电流需求降低
• 极其坚固耐用的性能提高了系统的产量
• 小于与Si BJT或LDMOS器件内置放大器的尺寸是50％