| 全球领先闪存供货商SanDisk（NASDAQ:SNDK）和东芝公司日前宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB 3 bits/单元（3-bits-per-cell） (X3)存储芯片，共同开发出多层式芯片(MLC) NAND 快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘（SSD）等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。
“在推出56nm 3 bits/单元的第一代产品后的一年半时间里，我们又开发出了第三代32纳米上的3 bits/单元技术，这充分表明，要成为当今世界此行业中的佼佼者就必须加快步伐，”SanDisk共同创始人兼总裁Sanjay Mehrotra说，“我们能够提供更高的容量，更美观的外形，同时又能够降低制造成本——这些都有助于拓展我们的各种产品线。这一新研发成果彰显了SanDisk最终使消费者受益的、高水平的专业技术和创新。”
32纳米 X3 技术—microSD应用的最佳选择
32nm 32GB X3技术是迄今为止最小的NAND快闪存储芯片，能够适用于指甲大小的microSD? 存储卡格式，这种格式广泛应用于移动电话和其他消费电子产品装置中。32nm 32GB X3是世界上密度最高的microSD存储芯片，能够提供两倍于43nm microSD 芯片的容量，同时模片区仍保持不变。32纳米处理技术以及电路设计中的进步为113mm2规格存储芯片做出了巨大贡献；同时，SanDisk的专利All-Bit-Line （ABL）架构在提高X3读写性能方面起到了重要推动作用。
“32纳米X3存储芯片的小巧外形和令人难以置信的密度使microSD卡的容量提升的更高成为可能；没有这项技术，这种高容量将无从谈起。”SanDisk OEM业务部和企业工程执行副总裁Yoram Cedar说，“随着移动电话高存储容量需求的日益提高，microSD的尺寸越来越受到人们的青睐，X3将使我们能够为市场带来激动人心的新产品。”
基于SanDisk核心技术
32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术，它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来，与摩尔定律中的趋势线相比，模片区大幅度减小。
“32纳米技术是基于SanDisk 43纳米浸没式光刻技术的成功实施，它采用了间隙壁工艺，同时又不增加在昂贵的光刻设备方面的投资，”SanDisk公司存储技术部副总裁Klaus Schuegraf说。“SanDisk将其业界领先的64-bit NAND字串长带到32纳米，同时用创新性程序算法和系统设计弥补了位与位（bit to bit）间的干扰影响。”
SanDisk和东芝公司今天在2009国际固态电路大会（ISSCC）上共同发布了32nm 32GB X3 NAND快闪存储器的文章，介绍了使32纳米成为可能的技术革新。预计32nm 32Gb X3在2009年下半年开始投入生产。
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