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摘要: 韩国海力士半导体公司6日宣布,公司最近研发出“全球最高速”的1G移动超低电压双倍数据速率(LPDDR2)存储器。 海力士说,新研发的LPDDR2产品能在1.2伏的低压下工作,传输和处理数据的速率可达每秒800MB。公司称其性能超过世界其他同类产品。 海力士公司声明表示,LPDDR2产品为需要大容量存储空间、快速数据处理能力的移动设备设计。新产品将主要应用于等离子
韩国海力士半导体公司6日宣布,公司最近研发出“全球最高速”的1G移动超低电压双倍数据速率(LPDDR2)存储器。
海力士说,新研发的LPDDR2产品能在1.2伏的低压下工作,传输和处理数据的速率可达每秒800MB。公司称其性能超过世界其他同类产品。
海力士公司声明表示,LPDDR2产品为需要大容量存储空间、快速数据处理能力的移动设备设计。新产品将主要应用于等离子显示器(PDP)、手机及其他移动产品。
海力士说,公司将在今年第四季度大规模生产这一产品。
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |