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韩国海力士半导体推出1G最高速存储器

来源:-- 作者:-- 浏览:331

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摘要: 韩国海力士半导体公司6日宣布,公司最近研发出“全球最高速”的1G移动超低电压双倍数据速率(LPDDR2)存储器。   海力士说,新研发的LPDDR2产品能在1.2伏的低压下工作,传输和处理数据的速率可达每秒800MB。公司称其性能超过世界其他同类产品。   海力士公司声明表示,LPDDR2产品为需要大容量存储空间、快速数据处理能力的移动设备设计。新产品将主要应用于等离子

 

  韩国海力士半导体公司6日宣布,公司最近研发出“全球最高速”的1G移动超低电压双倍数据速率(LPDDR2)存储器。

 

  海力士说,新研发的LPDDR2产品能在1.2伏的低压下工作,传输和处理数据的速率可达每秒800MB。公司称其性能超过世界其他同类产品。

 

  海力士公司声明表示,LPDDR2产品为需要大容量存储空间、快速数据处理能力的移动设备设计。新产品将主要应用于等离子显示器(PDP)、手机及其他移动产品。

 

  海力士说,公司将在今年第四季度大规模生产这一产品。

  

 

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67