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摘要: 世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布,现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件,以总线速率运行且无写入延迟,并支持高达1万亿次 (1e12)的读/写循环,这
世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布,现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件,以总线速率运行且无写入延迟,并支持高达1万亿次 (1e12)的读/写循环,这相比同等EEPROM器件高出100万倍。FM24C64C具有低功率运作特性,有效电流为100 µA (在100 kHz下),典型待机电流仅为4 µA。这款F-RAM器件是64-Kb EEPROM产品的直接硬件替代产品,适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。
Ramtron市场推广经理Mike Peters表示:“FM24C64C扩展了我们在位于美国美国佛蒙特州 (Vermont) Burlington的IBM生产线上制造的低密度串口I2C器件系列。FM24xxC系列产品包括带有I2C接口的4-Kb、16-Kb和64-Kb串口器件。相比竞争器件,Ramtron的F-RAM产品具有出色的写入性能、耐久性和持久性。”
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |