三菱电机将携同三款新型的HVIGBT模块，包括：3300V R系列、6500V R系列和4500VR系列，在6月1日至3日于上海光大会展中心举行的PCIM 2010中国展（展位号A13-A14）中亮相，为轨道牵引和大功率工业驱动，带来更高性能、超可靠、低损耗的技术。

三菱电机针对轨道牵引和大功率工业驱动的需要，特别设计了具有优良性能的HVIGBT模块，尤注重损耗低、额定电流大以及运行结温范围大的特性，同时具备良好的开关控制特性以降低电磁干扰（EMI）。本次推出的三款HVIGBT模块完全符合这些要求，并已经取得国际铁路行业标准(IRIS) 认证。

3300V R系列HVIGBT模块采用LPT(Light Punch-Through)-HVIGBT硅片和软恢复高压二极管硅片的组合，在不影响模块的短路鲁棒性前提下，该新型模块的饱和压降与关断损耗折衷特性得到了25%的改善。

新型二极管的使用减小了反向恢复电流，且软反向恢复特性维持了现有二极管设计的短路鲁棒性，并具有良好的EMI性能。新的硅片技术大大降低了模块的功率损耗，提高了模块的额定电流，最大额定电流可高达1500A，而过往产品的最大额定电流只有1200A。实验证明，通过调节导通和关断栅极电阻值可以在比较大范围内控制模块的开关特性。

6500V R系列HVIGBT模块，其绝缘耐压高达10.2k V（1分钟交流有效值）。基板材料采用AlSiC，模块的可靠性得到大大提高。一共有3种封装形式，小型，中型和大型。6500V R系列 HVIGBT模块的IGBT硅片具有漏电流小、功率损耗低、安全工作区（SOA）宽的特性，其二极管硅片具有软反向恢复特性、功率损耗低和安全工作区（SOA）宽的特性，从而达至模块的总的功率损耗低，可靠性高。

新的R系列HVIGBT模块还推出4500V R系列，电流分别有1200A和800A。新的R系列HVIGBT模块硅片的运行温度上限由过去的125C提高到150C，模块的储存最低温度从过去的-40C降低到-50C。