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罗姆推出更宽电压输入串并口F-RAM存储器

来源:-- 作者:-- 浏览:359

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摘要: 世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)发布W系列 F-RAM存储器,W系列器件带有串口I2C、SPI接口和并行接口,能够提供从2.7V 到 5.5V的更宽电压范围。此外,W系列具有更高的性能,如有功电流(active&

世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)发布W系列 F-RAM存储器,W系列器件带有串I2CSPI接口和并行接口,能够提供从2.7V  5.5V的更宽电压范围。此外,W系列具有更高的性能,如有功电流(active current需求降低了25%50%,串口器件的首次存取启动(上电初始化)速度加快20倍。该系列中FM24W256 和 FM25W256器件分别带有256-Kbit I2C与和SPI接口。64-Kbit FM16W08  256-Kbit FM18W08器件则带有一个并行通信接口。

Ramtron公司标准存储器市场推广经理 Mike Peters 表示:W系列 F-RAM存储器具有宽工作电压范围,可帮助系统设计人员降低有功电流,提高系统性能。系统能够检测早期功耗,控制器的数据写入电压可降至2.7V,从而保护重要数据免受毁坏或丢失。W系列的宽工作电压范围带来更高的灵活性,能够最大限度地减少客户所需的库存元件数量。

关于W系列F-RAM存储器

W系列 F-RAM存储器为先前使用64K256K  F-RAM器件的客户提供了一种设计替代方案,该系列产品基于先进的高可靠性铁电工艺,具有无延迟 (NoDelay™)写入、几乎无限的读/写次数 (100万亿次-10e14)以及38年数据保存期等特性。这些新推器件采用业界标准绿色封装,其中串口器件采用8SOIC封装,并口器件采用28引脚SOIC封装。W系列非常适合需要频繁或快速写入数据或实现低功耗工作的非易失性存储器应用,应用范围从高频数据采集直到要求严苛的工业控制应用。而在这些应用中, EEPROM的写入周期很长,可能造成数据丢失,因而并不适用。W系列中串口SPI器件采用Ramtron F-RAM技术,能够实现全速总线写入,确保在-40°C  +85°C的工业温度范围正常工作。

价格和供货

Ramtron 现可提供W系列 F-RAM存储器样品,订购1万片,每片256-Kbit FM24W256 FM25W256的价格均为2.35美元。对于并口型,订购1万片,每片64-Kbit FM16W08 的价格为1.96美元,每片256-Kbit FM18W08则为3.48美元。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67