摘要：
2009 年 7 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。
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2009 年 7 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。
新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的额定电压，在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27Ω。低RDS(on)意味着更低的传导损耗，从而为各种电子系统中的功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PMW)应用节约能量，这些应用包括LCD TV、PC机、服务器、通信系统和焊接机器。
除了低导通电阻，这些器件的栅电荷只有65nC。栅电荷与导通电阻的乘积是评价用于功率转换应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)，这些器件的品质因数只有17.75。
为提高操作的可靠性，器件经过了100%的雪崩测试，可承受高单脉冲(EAS)和反复(EAR)雪崩能量。器件可处理72A的脉冲电流和18A的连续电流。所有这三款器件均具有有效的输出电容规格。与前一代500V功率MOSFET相比，新器件在跨导和反向恢复特性上也有所改进。
关键器件指标：
|
器件 |
封装 |
VDS
(V) |
VGS
(± V) |
ID
(A) |
RDS(on)
(Ω) |
Qg
(nC) |
Rth(j-a) (°C/W) |
|
SiHP18N50C |
TO-220 |
500 |
30 |
18 |
0.270 |
65 |
62 |
|
SiHF18N50C |
TO-220 FULLPAK |
500 |
30 |
18 |
0.270 |
65 |
65 |
|
SiHG20N50C |
TO-247 |
500 |
30 |
20 |
0.270 |
65 |
40 |
SiHP18N50C和SiHF18N50C可提供无铅端子，采用TO-220和FULLPAK封装。SiHG20N50C提供无铅的TO-247封装。新器件现可提供样品，将于2009年第三季度实现量产，大宗订货的供货周期为八周至十周。
