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P沟道增强型场效应管的特性

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:6326

标签:

摘要: 下载图为P沟道场效应管,下右图为N沟道场效应管,二者的区别有两点: 一是栅源电压VGS方向正好相反。P沟道场效应管要导通,栅极CJ电压必须低于源极S电压,且低到某种程度;而N沟道场效应管要导通,栅极G电压必须高于源极S电压,且高到某种程度。可见.P沟道场效应管导通时栅源电压VGS为反偏压。N沟道场效应管导通时栅源电压VGS为正偏压。 二是电流方向正好相反。P沟道场效应管的电流方向是由源极S流向漏极

下载图为P沟道场效应管,下右图为N沟道场效应管,二者的区别有两点:

一是栅源电压VGS方向正好相反。P沟道场效应管要导通,栅极CJ电压必须低于源极S电压,且低到某种程度;而N沟道场效应管要导通,栅极G电压必须高于源极S电压,且高到某种程度。可见.P沟道场效应管导通时栅源电压VGS为反偏压。N沟道场效应管导通时栅源电压VGS为正偏压。

二是电流方向正好相反。P沟道场效应管的电流方向是由源极S流向漏极D,而N沟道场效应管的电流方向是由漏极D流向源极S。

场效应管

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67