功率MOSFET应用于开关电源时应注意以下几个问题。

(1)栅极电路的阻抗非常高，易翼静电损坏。

(2)直流输入阻抗高，但输入容量大，高频时输入阻抗低，因此，需要降低驱动电路阻抗。

(3)并联工作时容易产生高频振荡。

(4)导通时电流冲击大，易产生过电流。

(5)很多情况下，不能原封不动地用于双极型晶体管的自激振荡电路。

(6)寄生二极管的反向恢复时间长，很多情况下与场效应晶体管开关速度不平衡。

(7)开关速度快而产生噪声，容易使驱动电路误动作，特别是开关方式为桥接电路、栅极电路的电源为浮置时，易发生这种故障。

(8)漏极-栅极间电容极大，漏极电压变化容易影响输入。

(9)加有负反馈，热稳定性也比双极型晶体管好，但用于电流值较小情况下不能获得这种效果。

(10)理论上没有电流集中而产生二次击穿，但寄生晶体管因du/dt受到损坏，从而场效应晶体管也受到损坏。