富士通所开发的这款45奈米CMOS晶体管，能支持10V功率输出，让晶体管能因应各种高输出规格，满足WiMAX与其它高频应用中功率放大器的规格需求。此外，该新技术并实现了在同一晶粒(die)中藉由CMOS逻辑控制电路，达到单

　　芯片整合的目标，可进而开发出高效能、低成本的功率放大器。

　　富士通开发的新晶体管结构具有多项关键特性。晶体管的汲极周围有一个“轻微掺杂汲极”(lightly doped drain；LDD)区域，覆盖在闸极上。这种设计能降低水准延伸至汲极的电场，以及延伸至闸极氧化层的电场，故能提高击穿电压。

　　晶体管信道中的杂质(dopant)，呈侧面渐层分布。这种模式能降低信道中汲极侧的掺入杂质密度，进而限制了汲极电阻的提高幅度，此电阻是导通电阻(on-resistance)的主要来源。它亦降低水准延伸至汲极的电场，进而提高击穿电压。

　　要提高CMOS晶体管击穿电压，传统的作法是拉大闸极与汲极之间的间距。这种新开发的技术比传统方法更能有效抑制导通电阻，而且不必拉大间距。此外，这种新结构技术与3.3V I/O电压的标准晶体管维持极高的兼容性，因为它仅需要几个额外的步骤，以生成LDD区域以及客制化信道区域。

　　藉由采用45奈米制程技术把新型晶体管技术套用到3.3V I/O标准晶体管，富士通开发出第一个把击穿电压从6V提高到10V的晶体管。在晶体管结构方面，为了让新晶体管适合用在功率放大器，在最高震荡频率43GHz下1mm (0.6W/mm)闸极宽度达到0.6W功率输出，如此效能足以作为WiMAX的电源晶体管。

　　富士通新开发的高电压晶体管，可让业者更容易开发出具备高击穿电压、且适用在功率放大器的CMOS逻辑晶体管，将功率放大器与控制电路整合在单一芯片中，实现低成本、高效能功率放大器模块的目标。