让找料更便捷
电子元器件
采购信息平台
生意随身带
随时随地找货
一站式电子元器件
采购平台
半导体行业观察第一站
标签:
摘要: 美国JPSA公司是世界领先的激光材料加工工作站设计商和供应商,其LED晶圆的激光垂直刻蚀技术已获得专利。 该专利可在韩国应用。该专利技术是通过使用独特的激光能源分布系统,实现狭窄切割,切割宽度可达到2.5微米,从而是切割工艺更快,晶圆产出量更高。而且狭窄切口可以使每片晶圆能够产出的芯片单元(die)数量更高。JPSA通过提高IX-200紫外二极管泵浦固体(DPSS UV)激光器系统,提高了L
美国JPSA公司是世界领先的激光材料加工工作站设计商和供应商,其LED晶圆的激光垂直刻蚀技术已获得专利。
该专利可在韩国应用。该专利技术是通过使用独特的激光能源分布系统,实现狭窄切割,切割宽度可达到2.5微米,从而是切割工艺更快,晶圆产出量更高。而且狭窄切口可以使每片晶圆能够产出的芯片单元(die)数量更高。JPSA通过提高IX-200紫外二极管泵浦固体(DPSS UV)激光器系统,提高了LED蓝宝石晶圆切片能力。
JPSA会长Jeffrey P. SercEL称:“这种新型专利技术能够提高LED厂商加工晶圆的产量。使用我们的Chromadice系统,通过该专利程序,每小时能够加工15片2英寸晶圆。这与钻石切割及传统激光技术相比,产量有了显著的提高。”
IX-200 ChromaDiceT DPSS系统不仅是高精度晶圆刻蚀系统,而且也适用于晶圆焊接及切割应用。其紫外二极管泵浦固体(DPSS UV)激光器系统可以执行高速晶圆划刻,标准出片率高达99%以上,且每片晶圆划片成本不到2美元。另外,该系统还可以用于弯曲或变形的晶圆,可以适用于所有的晶圆类型。(http://compoundsemiconductor、net/blog/2008/01/jpsa_picks_up_led_scribe_paten、html)
来源:中国半导体照明网
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |