三星电子9月27日推出了业内首片576MB Rambus DRAM（RDRAM）。该存储器采用0.12微米制造工艺，工作频率高达1.066GHz，约比PC133 SDRAM快8倍。

高性能576MB RDRAM主要用于高端PC、工作站和服务器产品，在数码影像应用和高性能绘图子系统也将站有一席之地。

三星电子透露，其0.12微米制造工艺可大幅压低RDRAM成本。RDRAM需要较大的基片（die），但目前其体积已可缩小到仅比SDRAM大不到1%。 0.12微米制造工艺还可用于128和256MB RDRAM的生产，可将每片晶圆的芯片产量提升47%。该公司计划从2002年第二季度起量产576MB RDRAM。