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【用 途】 混频二极管 【性能 参数】硅材料肖特基势垒 4.2GHz L=5dB 【互换 兼容】DMF6887
关键词:
336 08-10
【用 途】 混频二极管 【性能 参数】硅材料肖特基势垒 9.375GHz L=5.5dB 【互换 兼容】
315 08-10
【用 途】 整流二极管 【性能 参数】硅 50V 200A Vf=0.7V Lfsm=4080A 【互换 兼容】
403 08-10
【用 途】 阶跃恢复二极管 【性能 参数】硅 100mW Cj=0.8pF Tr=75ps 【互换 兼容】
288 08-10
【用 途】 混频二极管 【性能 参数】砷化镓材料肖特基势垒 4.2GHz L=5dBs 【互换 兼容】
261 08-10
【用 途】 4~8位移位寄存器 【性能 参数】4位双向移位寄存器,输入输出并行静态型晶体管-晶体管逻辑,电源电压=5V。
322 08-10
【用 途】 数据选择器 【性能 参数】8选1数据选择器,双极型晶体管-晶体管逻辑,电源电压=5V。
386 08-10
【用 途】 功率驱动电路 【性能 参数】双列8脚封装,双"与非"门驱动器,吸收电流=300mA。【互换 兼容】75432 75452B SN75432 SN75452B MC75432 MC75452B HD75452 该
275 08-10
【用 途】 功率驱动电路 【性能 参数】双列8脚封装,双"与"门驱动器,吸收电流=300mA,电源电压=5V。【互换 兼容】75451 7G75451 MC75451B HD75451A SG75451 SG75451B SN75451 SN55451B&nbs
442 08-10
【用 途】 计数译码器 【性能 参数】计数-寄存-译码器(有代码输出),金属-氧化物-半导体型P沟道MOS,电源电压=0(12)~-24(12)V。
342 08-10
【用 途】 【性能 参数】
313 08-10
433 08-10