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【用 途】 快恢复二极管【性能 参数】硅 85V 0.25A 【互换 兼容】BAS678 BAL99 BAR99
关键词:
410 08-10
【用 途】 快恢复二极管【性能 参数】硅 80V 0.25A <10nS【互换 兼容】BAS16 BAS678
324 08-10
快速恢复二极管 【性能 参数】硅 100V 200mA Vf=1.0V Trr=4.0ns 【互换 兼容】BAS16
397 08-10
【用 途】 快恢复二极管【性能 参数】硅 70V 0.25A <6采用SOT-23封装, BAL99原厂资料【互换 兼容】BAS16 BAS678 BA916 BA99
326 08-10
【用 途】 旁热式阴极束射四极管/高低频电压放大、倍频、振荡和阳极调幅【性能 参数】灯丝电压(Uf≈)=6.3V;灯丝电流(If)=0.9±0.09A;阳极电压(Ua)=600V;第一栅极电压(Ug1)-29;第二栅极电压(Ug2)=300V;阳极电流(Ia)=36±12mA;跨导①(S)=6±1mA/V;输出功率②(Po)(f=1
1247 08-10
【用 途】 音频输出管 【性能 参数】锗 PNP 32V 1.2A 0.26W 【互换 兼容】AC153 3AK32
243 08-10
【用 途】 音频输出/放大管 【性能 参数】硅 PNP 60V 1A 50MHz 【互换 兼容】BC160
337 08-10
【用 途】 UHF或微波频段放大 【性能 参数】硅 PNP 0.1A 0.25W β>300 【互换 兼容】
351 08-10
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 700V 100A Vf=1.2V Lfsm=600A 【互换 兼容】
249 08-10
【用 途】 计数译码器 【性能 参数】二进制计数-寄存-译码电路10组合门,金属-氧化物-半导体型P沟道MOS,电源电压=0(12)~-24(10)V。
355 08-10
【用 途】 普通用途 【性能 参数】硅 NPN 20V 1W 175MHz 10dB 【互换 兼容】2N4427
254 08-10
【用 途】 高频放大管 【性能 参数】硅 NPN 20V 500mW 470MHz 10dB 【互换 兼容】MRF627
401 08-10