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【技术资讯】Ramtron推高功效512Kb系列串口F-RAM存储器

　　全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布其新的并口和串口F-RAM系列增添两款产品，这些F-RAM器件提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。Ramtron的V系列F-RAM产品之最新型款为512KbFM24V05和1MbFM24V10，是2.0V至3.6V的串口非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，使用双线(I2C)协议。

关键词：

1058 08-10

【技术资讯】Ramtron推出串口F-RAM存储器FM25L16-GA

世界顶尖的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出串口F-RAM存储器FM25L16-GA，进一步扩大其符合AEC-Q100汽车标准要求的F-RAM存储器系列阵容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存储器，可在-40°C至+125°C的Grade1汽车温度范围工作，是Ramtron不断增长的符合Grade1和Grade3AEC-Q100标准的汽车存储器产品的新成员

关键词：

838 08-10

【解决方案】一种改进的双路Fabry- Perot 干涉式加速度计

摘要: 采用双路F- P 进行加速度测量, 有很高的分辨率[1] 。原有研究基础上, 经过进一步研究发现, 其测量结果的灵敏度和传感头中两个F- P 干涉腔的腔长有关。从理论方面说明了, 其灵敏度和两个F- P 腔的腔长的关系, 并且在原来传感头的基础上增加了微电压可调PZT, 用于调节某一个F- P 谐振腔腔长, 到达一合适值, 以便其灵敏度最大。　　

关键词：

602 08-10

【新品播报】RF 贴片(2SC5336-F)中文资料_参数_替代_应用-晶体管

【用　途】贴片高频放大管【性能参数】NPN ≤12V ≤100mA ≤1.2W hFE=80～160 6.5GHz 0.5～0.8pF【互换兼容】2SC5336-F【RF 贴片(2SC5336-F)的原厂(中文)资料数据手册脚功能参数封装】

关键词：

154 04-23

【新品播报】CM320240-7

【用　途】中文液晶显示模块【性能参数】　　该器件是一个中英文文字与绘图模式的点矩阵液晶显示模块，内含12Kbyte 的ROM 字形码，可以显示中文字型、数字符号、英日欧文等字母，并且内建双图层（Two Page）的显示内存。在文字模式中，可接收标准中文文字内码直接显示中文，而不需要进入绘图模式以绘图方式描绘中文，可以节省许多微处

关键词：

462 08-10

【新品播报】LTC1569-7

由于截止频率在200kHz以上时，利用LTC1569－7构成低通滤波器具有比通用滤波器LTC1562 更好的特性。

关键词：

505 08-10

【新品播报】SQL14-7

【用　途】桥式整流硅堆【性能参数】硅 700V 40A Vf=1.2V Lfsm=240A 【互换兼容】

关键词：

287 08-10

【新品播报】AC188-7

【用　途】音频输出管【性能参数】锗 PNP 25V 0.3A β=96～160 【互换兼容】

关键词：

345 08-10

【新品播报】HM514260ALJP-7

【用　途】动态随机存储器【性能参数】

关键词：

316 08-10

【新品播报】ZK5-7

【用　途】高频开关二极管【性能参数】硅 700V 5A Vf=1V Lfsm=105A Trr=2us 【互换兼容】

关键词：

289 08-10

【新品播报】W986416BH-7

【用　途】动态存储器【性能参数】TSOP II 54,CL=3脚封装,4MX16位高速同步DRAM,容量4M×16位,速度=143MHz,工作电压=3.3V。

关键词：

318 08-10

【新品播报】BDY13-7

【用　途】音频输出/放大管【性能参数】硅 NPN 80V 3A 26W 【互换兼容】2N5427 3DA4B

关键词：

318 08-10

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