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在对纳米器件进行电流-电压(I-V)脉冲特征分析时通常需要测量非常小的电压或电流,因为其中需要分别加载很小的电流或电压去控制功耗或者减少焦耳热效应。这里,低电平测量技术不仅对于器件的I-V特征分析而且对于高电导率材料的电阻测量都非常重要。与微米级元件与材料的I-V曲线生成不同的是,对纳
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265 08-10
;意法(st)半导体宣布,功率mosfet芯片性能方面取得巨大突破,最新的mdmesh v技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。mdmesh v让新一代650v mosfet将rds(on)降到0.079ω以下,采用紧凑型功率封装,使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。;;; 33a的stp42n65m5是意法半导体的首款mdmesh v产品
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310 08-10
BUZ358 简易V-MOSFET调光灯电路如图所示,它是利用V-MOS场效应管输入阻抗极高的特点,通过调节V-MOS管栅极偏压,以控制流过灯泡的电流,从而达到改变灯泡发光亮度的目的。
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322 04-20
AXV这款低成本、低功耗CPLD是业界最具价值的器件,其不仅可提供可靠的新特性,并且与竞争CPLD相比,其总功耗降低了高达50%。此篇主要介绍了MAXV特性、应用范围、参考设计电路以及电路分析,帮助大家缩短设计时间。MAXV特性:静态功耗低至45µW,延长了电池使用寿命;数字PLL(DPLL),灵活的实现了需要频率相乘或者移相的设计;用户闪存和嵌入式闪存,为关键系统信息提供非易失存储器
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293 05-06
产品型号:THS4120ID工作电压±15(V):-工作电压±5(V):-工作电压5(V):-最小稳定增益(V/V):-带宽@Acl(MHz):-转换率(V/us):43设置时间(典型值)(ns):292
关键词:
270 08-10
产品型号:SN10501DBVT工作电压±15(V):-工作电压±5(V):Yes工作电压5(V):Yes最小稳定增益(V/V):1带宽@Acl(MHz):100转换率(V/us):900设置时间(典型值
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227 08-10
产品型号:OPA2690ID工作电压±15(V):-工作电压±5(V):Yes工作电压5(V):Yes最小稳定增益(V/V):1带宽@Acl(MHz):500转换速率(V/us):1800设置时间(0.01%
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368 08-10
产品型号:THS4211D工作电压±15(V):-工作电压±5(V):Yes工作电压5(V):Yes最小稳定增益(V/V):1000带宽@Acl(MHz):970转换速率(V/us):55设置时间(0.01%
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248 08-10
产品型号:tsc2046irgvt触摸屏:4线sar位数:12sar采样速率(ksps):125接口:spi参考电压:内部模拟电压最小值(v):2.200模拟电压最大值(v):5.250逻辑电压最小值(v):1.500逻辑电压最大值(v):5.250工作电压最小值(v):1.500工作电压最大值(v):5.250封装/温度(℃):16qfn/-40~85价格/1片(套):¥23.40
关键词:
429 08-10
产品型号:tsc2102ida触摸屏:4线sar位数:12sar采样速率(ksps):125接口:spi/iic参考电压:内部模拟电压最小值(v):2.700模拟电压最大值(v):3.600逻辑电压最小值(v):1.530逻辑电压最大值(v):1.950工作电压最小值(v):2.700工作电压最大值(v):3.600封装/温度(℃):32tssop/-40~85价格/1片(套):¥56.50
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441 08-10