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搜索到 CFC-512 的相关文章 共 651 条

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    【用　途】 【性能 参数】双列8脚SOIC封装,工作电压=1.8～5.5V,容量=512×8(4K)。

    关键词：

    171 08-10

  • 【新品播报】AT59C13

    【用　途】 串行口电可擦写存储器 【性能 参数】容量=4K(512×8或256×16)

    关键词：

    244 08-10

  • 【新品播报】24AA04ST

    【用　途】 【性能 参数】双列8脚TSSOP封装,工作电压=1.8～5.5V,容量=512×8(4K)。

    关键词：

    295 08-10

  • 【技术资讯】意法半导体发表1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片

    意法半导体（ST）推出1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片，存储密度分别为256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit，兼容I2C Fast-Mode-Puls模式，数据速率可达工作频率为1MHz，M24M01-HR完成1-Mbit的数据处理只需1秒钟；256-Kbit的M24256-BHR只需四分之一秒；512-Kbit的M2

    关键词：

    607 08-10

  • 【技术资讯】加密算法之MD5算法

    在一些初始化处理后，MD5以512位分组来处理输入文本，每一分组又划分为16个32位子分组。算法的输出由四个32位分组组成，将它们级联形成一个128位散列值。首先填充消息使其长度恰好为一个比512位的倍数仅小64位的数。填充方法是附一个1在消息后面，后接所要求的多个0，然后在其后附上64位的消息长度（填充前）。这两步的作用是使消息长度恰好是512位的整数倍（算法的其余部分

    关键词：

    480 08-10

  • 【新品播报】HK18512

    【用　途】 非易失性静态存储器 【性能 参数】32DIP封装,容量=512×8。

    关键词：

    220 08-10

  • 【技术资讯】Microchip推出1Mb串行EEPROM产品线

    同时，公司还推出了25AA128、25LC128、25AA512及25LC512（25XX128/512）等多款128 Kb和512 Kb串行EEPROM器件，涵盖整个串行外设接口（SPI）存储密度范围

    关键词：

    364 08-10

  • 【新品播报】AMD下代6000系列 GTX 580

    gtx500规格表 geforce gtx 580基于新的核心gf110，也就是现在gf100的改进版本，据说有512个流处理器(cuda核心)、128个纹理单元、512-bit位宽，可配2gb gddr5

    关键词：

    341 08-10

  • 【解决方案】ST推出512-Kbit串口EEPROM M95512/M24512

    意法半导体(ST)运用先进的非易失性存储技术，推出两款在当前市场上最高密度的采工业标准2×3×0.6mm8-引脚微型引线框架封装(MLP)的512-Kbit器件，再度写下业界第一

    关键词：

    1130 08-10

  • 【新品播报】CFC-Ⅲ 长风行输出变压器

    【用　途】 行输出变压器【性能 参数】1-3-5 6-7-9-10 【互换 兼容】0634 L851机芯

    关键词：

    320 08-10

  • 【新品播报】512 kb和1Mb EEPROM CAT24C512/CAT24M01（安森美）

    这些EEPORM器件包括高密度的512千比特( kb) CAT24C512和1兆比特(Mb) CAT24M01，均支持1.8伏(V)至5.5 V的供电电压范围。

    关键词： eeprom

    1328 08-10

  • 【新品播报】24AA04SM

    【用　途】 【性能 参数】双列8脚SOIC封装,工作电压=1.8～5.5V,容量=512×8(4K)。

    关键词：

    194 08-10

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