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Rs:第二栅极串联降压电阻栅极电阻,MΩ;Rk:阴极自给偏压电阻,Ω;EB:板极供电压,V;Eo:输出信号幅度,Vrms;V.G:电压增益(倍);C:耦合电容器的容量,μF;CK:阴极旁路电容器容量,μF;CS:第二栅极旁路电容器容量,μF。
关键词:
579 08-10
其前一代产品的容值为 40μF~1100μF,该系列将容值扩展到2235μF,容值容差为±5%。 HDMKP电容器针对不间断电源、风力发电机中
关键词:
438 08-10
低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 宣布,其V系列产品线新增两款通过严格的AEC-Q100Grade 3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128 千位 (Kb)、高性能非易失性F-RAM存储器,在2.0至3.6V的宽工
关键词:
437 08-10