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【技术资讯】win7系统取消折叠组的详细步骤（图文

本教程分享win7系统取消折叠组的详细步骤，很多用户说电脑F盘上的所有文件折叠也一个组了，想要取消折叠组，但是不知道取消折叠组。其实win7系统取消折叠组的步骤很简单，下面一起来看下解决方法吧。　　解决方法如下：　　1、文件夹的折叠组;现在要把这折叠组取消；　　2、光标在F盘菜单栏上顺序点击：查看-分组依据；　　3、在“分组依据”下拉的菜单中点“无”;　　4、F盘的折叠组即被取消，F盘所有的文件即

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553 04-17

【解决方案】矢量控制 -解决方案-华强电子网

从电工学中知道，若给三相固定的对称绕组A、B、C通以平衡的三相正弦交流电流Ia、Ib、Ic时，即产生转速为w0的旋转磁场F，三相电流的合成磁势为E1，其相位与合成电流I1一致，均超前F一个相位角e，同样以在图中，如把三相合成电流I1投影到磁通方向的轴上得Im，I1投影到与F正交的T轴上得I2。这一个新的直角坐标系T-F是按w0转速旋转的，此时Im、I2与直流电机中的功能完全

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170 09-30

【技术资讯】极低功耗R-F型微控制器（HOLTEK）

HOLTEK半导体推出了极低功耗R-F型微控制器---HT47C06L，HT47C06L的工作电压为1.2V~2.2V、ROM为1k*16、RAM为32Bytes、I/O最多为8埠、LCD最多可驱动39点、提供一组16bits计时计数器与单一通道的R-F转换器。HT47C06L的R-F功能为经由电阻到频率的转换，可应用于电阻值量测，并进而执行控制动

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332 08-10

【新品播报】Ramtron推出可与广受欢迎的飞思卡尔Tower System一起使用的 F-RAM存储器模块

世界领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布，现已提供可与飞思卡尔半导体公司广受欢迎的Tower System开发平台共用的全新F-RAM存储器模块(TWR-FRAM)。TWR-FRAM使用了Ramtron F-RAM核心存储器和集成产品的超级集合(superset

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305 08-10

【电路图】A-840V/F变换组件可达500kHs带宽的光电隔离电路图

本电路使用的A-8402V/F变换器组件,其线性为±0.05%,最高转换频率高过500KHZ,用以驱动光电隔离器的发光二极管.另一只A-8402V/F组件,把光电隔离器的输出,变换为成比例的直流电压.所用电源为12V,也可以采用5~18V.如图所示A-840V/F变换组件可达500kHs带宽的光电隔离电路图。

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229 04-10

【解决方案】三菱CNC加工不良对策及经验 -解决方案-华强电子网

速度和精度的关系 M70B系统有以下几种加工模式，一种是G64模态，特点是粗略定位，F速度严格按照指定的F值走，不会减速。而路径会跟程序有所不同。（参数1125设1，可以看实际的F速度)一种是G61模态，特点是精确定位，F速度会跟程序有所不同，遇到拐角、园弧会减速。但路径是严格按照程序指定的走。

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790 10-17

【技术资讯】TCL王牌9229型彩电死机

F)电容，确定C923(333?F)电容不良。用同型号电容更换后，机器故障排除。

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289 08-10

【新品播报】2SC3357-F中文资料_参数_替代_应用-晶体管

】贴片高频低噪声放大管【性能参数】NPN ≤12V ≤100mA ≤1.2W hFE=80～160 6.5GHz 0.65～1.0pF【互换兼容】RF 贴片 NE85634-F【2SC3357-F的原厂(中文)资料数据手册脚功能参数封装】

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702 04-23

【技术资讯】海信DP2910L液晶彩电开机红屏、死机

　　经分析，此问题是由于LA76930内部复位电路工作异常引起，现提供试验方案如下：　　将LA76930的（40）脚外接的C729由lμF/16V更改为3.3μF/16V。另，在解码板供电端对地加上一个lOOOμF/16V的电解，使解码板供电较CPU供电有所延迟，进而完全复位。

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586 08-10

【技术资讯】用于功率电子的重载电容器（Vishay

其前一代产品的容值为40µF～1100µF，该系列将容值扩展到2235µF，容值容差为±5%。HDMKP电容器针对不间断电源、风力发电机中的

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223 08-10

【技术资讯】Ramtron针对智能动力传动应用的4Kb F-RAM

　　全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求，可在-40℃至+125℃的汽车工作温度范围内工作，并确保在极端温度条件下保存数据达FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的先进动力传动系

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627 08-10

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