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经测量,CHTO405-5J77(7)脚输出了关机指令,测其(12)脚电源、(17)脚复位电压都正常,(41)脚PROTECT保护采样端有低电压信号时,电视保护关机(简图见图)。为查明故障点,分别断开(41)脚外的三只保护采样二极管,电视仍自动关机;查(41)脚外接电阻100kΩ正常;测其外接的瓷片电容C758(0.O1μF),没有短
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728 08-10
7月29日消息,日前,中国移动设计院副院长张同须在业内某公开会议上表示,根据国际LTE频率规划表,可发现和FDD LTE规划的频率资源相比,TD-LTE频率面临频率资源少、频率分布失衡的问题。 他介绍说,目前中移动TDD频率有2010-2025MHz之间15M的A频段、1880-1900MHz之间20M的F频段用于TD-SCDMA,2320-2370MHz之间50M的E频段用于TD-SCDM
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376 08-10
1、外观示意图 1一原稿盘 2一自动送稿器 3一送稿台 4一主控制面板 5一副控制面板 6一白色补偿片 7一扫描玻璃 8一原稿导板 9一自动送稿器单元释放杆 10一送入台释放杆 11一废蜡纸盒 12一入纸压力调整杆 13一左/右印刷位置调整盘 14一送纸盘 15一送纸盘导轨 16一送纸台F降按钮 2、
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132 09-30
检查时要视电容器的容量大小选择万用表的不同电阻档:电容大于10μF时用R×100Q档;1~10μF用R×lkΩ档;0.01~1μF用R×
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402 08-10
电路主要包含2个部分:放大器G(f)和反馈回路H(f)。 其中,反馈回路H(f)既可以利用一只石英晶体担当。也可以利用一只陶瓷谐振器担当,它们都具有频率选择作用的(实物图
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1335 08-10
世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布,现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器(F-RAM) 产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件,以总线速率运行且无写入延迟,并支持高达1万亿次 (1e12)的读/写循环,这
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328 08-10
(2)工作温度:0~60°C(32~140°F)。 (3)存储温度:-20~70°C(-4~158°F)。 (4)工作湿度:5%~95%RH,无凝结。 (5)接口:50芯扁平电缆接口。
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206 07-02
[据英国《飞行国际》2008年5月12日报道] 据最近发布的一份荷兰军方文件透露,F-35联合攻击战斗机(JSF)项目的系统开发与验证(system development and荷兰军方首脑于5月7日在给议会的一封信件中表示,JSF项目执行官员正在考虑将项目期限延长一年。有关方面可能会在2008年秋季之前作出
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236 08-10
IR新一代Gen 7 F器件采用击穿沟道式技术,能够为特定的工作频率提供更高功率密度,以及经过优化的传导和开关损耗。全新IGBT的VCE(ON)&
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313 08-10
太阳诱电2009年7月9日发布了静电容量为0.47μF的1005尺寸(安装面积为1.0mm×0.5mm)积层陶瓷电容器(MLCC)。
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309 08-10