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由图可知,陵电黯用锁,fti:al:4046B和异或f】作主控电路、叫发出S次脉冲和 硅续的4陕建脉冲。按钮正常时他J" NC位置,这时ci.q分别经Di.D fjt电, q截忆锁柑环中VCO ,f:l作,异或门输f|J低电’l卜。按钮按F后.Cl,C2{}别 经M,R充电,vco经0.5秒延时后工作。若要vco开始工作前的0 5秒内松 圩按钮,州异或门由于(14)脚变 r95而输出-
关键词:
311 08-10
世界领先的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出半导体业界首款基于F-RAM的事件数据记录仪(EDR)——FM6124,这是集成式的事件监控解决方案,能够连续监控状态的变化,将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。
关键词:
156 06-09
出现此类故障的原因及检修方法: (1)电源电路电容C6(0.01μF)不良。更换C6; (2)电源电路二极管VD7损坏。更换VD7; (3)电源电路电容C7(3300μF/16V)不良。更换C7; (4)电源电路集成块IC3(7806)不良。更换IC3。
关键词:
472 08-10
直观发现电源板上的次级+5v滤波电容(2200μF/10V)顶邮已经鼓起,测量+5v组输出电压只有2V左右,说明该+5v滤波电容已经损坏,造成+5v电压大幅降低。用2200μF/ 16V电容更换后,整机恢复正常工作。
关键词:
589 08-10