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首页> 文章搜索> DZ23C18-7-F

搜索到 DZ23C18-7-F 的相关文章 共 10000 +条

  • 【新品播报】VFC32

    【用　途】 变换器电路 【性能 参数】V/F、F/V变换器,双极型,电源电压=22V,电路由输入放大器,电压比较器和单稳触发器、电子开关、恒流源组成,可作电压-频率

    关键词：

    525 08-10

  • 【技术资讯】夏新DVD7810面板有时无显示，按键失灵但遥控正常

    在无屏显时测－24V、+5V、F+、F－电压正常，也无虚焊点。判断PT6312损坏，换新后故障依旧。

    关键词：

    893 08-10

  • 【电路图】LTC1044应用实例

    应用实例LTC1044的输出电阻和输出电流与ICL7660几乎相同，但消耗电流是ICL7660的一半，工作电压为1.5V≤V1，≤9V,也可不用接保护二极管，LTC1044的1脚为BOOST开路时，振荡频率f=5KHvz,BOOST=V+时，f=35KHz，图中所示LTC1044应用实例电路。

    关键词：

    1131 08-10

  • 【技术资讯】坂田C-18SA1型电磁炉不通电修好后显示E8不加热

    测量C5(0.27μF/1200V)、C2(5μF/275V）、R41 470kΩ）、R5(470kΩ)、Rl0(470kΩ)、Rl1( 470k&Omega

    关键词：

    1525 08-10

  • 【技术资讯】Ramtron4MbF－RAM存储器受fimicro青睐，用于其新型PC／104兼容单板机和I／O模块设计中

    非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布位于德国的嵌入式软件和硬件供应商fimicro已在其新型的active104系列PC/104兼容单板计算机(SBC)和智能I/O扩展模块中，采用了Ramtron的非易失性F-RAM存储器。fimicro已在其active104SBC、RAID、以太网和USB板的设计中使用了Ramtron的FM22L164兆位(Mb)并行F-RAM，以取代active104系统中的Flash、SRAM和EEPROM

    关键词：

    860 08-10

  • 【新品播报】Ramtron的64千位串行F-RAM存储器达到汽车电子AEC-Q100标准

    RamtrONInternationalCorporation扩展其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM存储器产品，FM24CL6464千位(Kb)串行F-RAM已通过认证，可在-40至+85℃的Grade3FM24CL64已设计用于高级汽车音频平台，其中F-RAM用于快速频繁地记录动态数据，并保持数据的完整性，即使突然发生掉电时亦可保存数据。FM24CL64具有NoDelay™(

    关键词：

    336 08-10

  • 【技术资讯】美国向巴基斯坦空军提供F-16火控雷达系统(图)

    [英国《防务新闻》2007年1月11日报道] 诺斯罗普·格鲁门公司已经得到一份向巴基斯坦空军提供52部F-16 战斗机火控雷达的合同。 　　合同由美国空军发出，总费用为4975万美元。要求为18架新型F-16（52批）以及目前巴基斯坦拥有的34架F-16A/B (15批) 战斗机制造、安装新雷达。第一部雷达系统AN/APG-68(V)9将在2008年开始交付。　　

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    355 08-10

  • 【技术资讯】德国海军研究弹道导弹防御系统

    [英国《简氏国际海军》2005年5月1日刊报道]德国海军透露目前正在开展F-124级作战舰艇的战区弹道导弹防御（TBMD）能力的工作。德国住美国大使的一位官员称，“F-124级舰艇已具备了TBMD的基本条件，如，舰上装备有Mk 41垂直发射系统，它能够发射“标准”-3拦截导弹，及泰利斯公司的SMART-L先进雷达系统”。F-124级首舰“萨克森”号是2004年11月服役的。

    关键词：

    602 08-10

  • 【新品播报】气体烟雾探测器(QM-NG1型广谱气敏传感器应用

    220V市电经C1降至100V左右供给气敏电阻MQ的检测电极A-B（A'-B'），经C2降至3V左右加至MQ的加热电极f-f'以及由氖灯N和蜂鸣器F构

    关键词：

    1548 08-10

  • 【技术资讯】改进金马牌汽车功率放大器供电电路

    为了改善音质，将电路的供电部分做了如下改动（下图）：将供电电压由12V改为15V（TA7240AP的极限工作电压为18V），有利于提高效率和改善音质；将1200μF/50V的主滤波电容C9换为6800μF/50V的优质电解，并在正负两端各并接一0.1μF的优质电容（C9、C8）；将极性保护二极管D由串接改为并接，有效降低电源内阻。

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    863 08-10

  • 【电路图】CD4060与VMOS管组成的单按钮音量控制器电路

    VT1 的G 极接有3 个模拟开关S1～S3 和一个100μF 的电容,其中100μF 电容起电压保持作用。由于VMOS 管的G 极和S 极之间的电阻极高,故100μF 电容上的电

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    510 08-10

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