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首页> 文章搜索> HN2A01FU-Y(TE85L,F

搜索到 HN2A01FU-Y(TE85L,F 的相关文章 共 9420 条

  • 【电路图】继电器常识及应用

    时间继电器的常用功能有： A：通电延时（On-delay Operation） F：断电延时（Off-delay Operation） Y：星三角延时（Star/Delta Operation

    关键词：

    435 10-24

  • 【新品播报】PKS607

    【用　途】 单片式开关电源集成电路【性能 参数】　　PKS607有两种封装形式：Y封装(TO220-7C)和F封装(TO262-7C)。

    关键词：

    450 08-10

  • 【电路图】TA8772AN引脚功能的电压资料参数

    TA8772AN引脚功能的电压资料参数1R-Y钳位4.472R-Y输出4.363B-Y输出4.344R-YAGC检测3.725电源8.86滤波器调整1.297沙堡输入1.238B-YAGC检测3.739PLL检测4.1510时钟输出2.0211时钟输入2.412地013B-Y输入2.2814电源24.8715R-Y输入2.2516R-Y延迟输出3.2817控制16脚出1.3918控制19脚出1.419B-Y延迟输出3.320VGG10.321地022R-Y延迟输入4.3223B-Y延迟输入4.3224方式开关8.4325方式开关8.4326B-Y输入5.0727R-Y输入5.0928B-Y钳位4.3829B-Y

    关键词：

    2474 08-10

  • 【技术资讯】国标集成电路的型号命名方法

    电路类型电路系列和电路规格符号电路封装T：TTL；品种序号码（拼音字母）A：陶瓷扁平；H：HTTL；（三位数字）B：塑料扁平；E：ECL；C：陶瓷双列直插；I：I-L；D：塑料双列直插；P：PMOS；Y：金属圆壳；N：NMOS；F：金属菱形；F：线性放大器；W：集成稳压器；J：接口电路。

    关键词：

    1340 08-10

  • 【新品播报】3SK77-Y

    【用　途】 MOS场效应双栅四极/甚高频管 【性能 参数】N沟 20V 3-7mA 0.3W 200MHz Nf=2.2dB 【互换 兼容】

    关键词：

    401 08-10

  • 【新品播报】2SK170-Y

    【用　途】 场效应音频(低频)管 【性能 参数】N沟 40V 1-3mA 0.4W Nf=0.5dB 【互换 兼容】

    关键词：

    348 08-10

  • 【新品播报】2SK18-Y

    【用　途】 场效应配对/直流管 【性能 参数】N沟 40V 1.4-2.8mA 0.2W △=0.9-1 【互换 兼容】

    关键词：

    393 08-10

  • 【新品播报】2SK15-Y

    【用　途】 场效应直流/音频管 【性能 参数】N沟 20V 1.4-2.8mA 0.1W Nf＜3dB 【互换 兼容】

    关键词：

    420 08-10

  • 【新品播报】2SK117-Y

    【用　途】 场效应音频(低频)管 【性能 参数】N沟 50V 1.2-3mA 0.3W Nf=1dB 【互换 兼容】

    关键词：

    321 08-10

  • 【新品播报】2SJ13-Y

    【用　途】 场效应直流/音频管 【性能 参数】P沟 20V 4-12mA 0.6W 【互换 兼容】

    关键词：

    284 08-10

  • 【技术资讯】喷瓷管道焊接热敏感性研究

    结果表明，随着峰值温度的提高，基体金属的硬度提高，组织由F+P转变成B+F+P；峰温为1350℃、1200℃时，基体金属中产生大量晶间微裂纹，金属与瓷层界面无裂纹但出现气泡；峰温为950℃、700℃时，金属与瓷层界面无气泡但产生了界面裂纹；峰温低于1200℃时，瓷层相结构主要为玻璃态，由少量晶相Na2MoO4（MoO3）y析出；峰温为1350℃时，瓷层全部转变为玻璃态

    关键词：

    694 08-10

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