【技术资讯】IR上市8款采用SOT-23封装的功率MOSFET 耐压为-30Vz至+100V

此外，耐压为+60V、最大漏电流为2.7A的IRLML0060TRPBF”在栅源间电压为+10V时，导通电阻为78mΩ（标准值），+4.5V时为98mΩ（标准值）。