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Q1击穿,R25开路。U1的7脚对地短路。R5开路,U1无启动电压。更换以上元件即可修复。若U1的7脚有11V以上电压,8脚有5V电压,说明U1基本正常。应重点检测Q1和T1的引脚是否有虚焊。若连续击穿Q1,且Q1不发烫,一般是D2,C4失效,若是Q1击穿且
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8255 08-10
晶体管Q1和Q8组成单稳态电路,Q3通常是导通的。Q2通常也由于通过R4的电流而导通。被C1微分的正阶跃输入脉冲的前沿使Q1导通。Q1集电极上产生的负阶跃脉冲,通过定时电容器C2耦合到Q3的基极,并使其截止,也使Q2保持截止。电阻R4使C2放电。在定时持续期结束时,Q2导通。在Q2导通时,Q1截止。Q1集电极上的正阶跃脉冲,通过电容器C2耦合到Q2的基极,使其导通程度增大,因而提供加速激励,使
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517 08-10
由于Q1、Q2的参数不可能一致,假设Q1的lceo比较大,C1的电压经R3、Q1的be结、K2使Q1导通;同时Q1导通后,300V电压经此管的ce结、L2给
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1374 08-10
2009年Q1时感觉一场灾难来临,心中无底,反复询问“何时走出谷底”?而到2010年Q1时,产业似乎来了个大逆转,好得有点出奇,乐坏了全球市场分析公司,它们有用武之地,但是企业家们却在冷静的思考,是“真的来临了吗”?两重天据SIA公布的2010年Q1全球半导体销售额为692亿美元,与2009年Q1的437亿美元相比增长达58%。另外据ICInsight报道,2010年Q1全球芯片出货量为4
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747 08-10
主板CPU的PWM供电电路路图这是一个三相供电图,Q1和Q2组成一相,Q3和Q4组成一相,Q5和Q6组成一相。每一相都是在PWM控制IC(CS5301)的控制下,轮流导流的,而不是同时导通。CS5301通过Gate1(H)脚输出控制Q1导通与截止,通过Gate2(L)输出控制Q2的导通与截止。当Gate1(H)输出时,Q1导通,此时Q2截止(Gate1(L)无输出),+12V端L4及滤波电容C15和C16的储能,通过Q1释放并向L1及其后并联的滤波电容充电,L1储能。当Q1截止Q2导通时,L
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2536 08-10
VLSI的研究报告指出,Applied、Lam、Nikon、TEL、Teradyne在Q1获得较大的增长,而在Q1中ASMI、DNS及KLA-Tencor未达到预期增长。按VLSI公布的最新数据Q1中全球半导体设备增长43%,达104亿美元。该公司最新的预测是2010年全球半导体设备达476亿美元,相比09年增长95.8%。应用材料公司以17.4亿美元在Q1中环比增长43%名列第一。TEL以
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329 08-10
工作原理 1、启动与振荡:市电经D11~D14桥式整流、C11滤波后得到约300V的直流电压,该电压一路经开关变压器T1①-②绕组加至开关管Q1漏极(D),另一路经R18、R28、R17加至Q1控制栅极(G),使Q1开始导通,同时对C13充电(极性为上正下负).Q1导通后,其漏极电流流经T1①-②绕组产生电动势,经T1耦合.
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414 08-10
开盖检查,无明显器件损坏现象,只是发现开关管Q1下方电路板及紧靠Q1背后的电容c4已经变色发黑。测开关管01D极300V电压正常,G极有启动电压,s极外接电阻R8正常,初步判断开关管Q1开路损坏。此故障应为散热不良导致Q1过热开路损坏所致。
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600 08-10
普通P-N-P晶体管Q1,在正常情况下处于导通状态(由R5正向偏置)。由于Q1导通,从而把B+加到Q2(可控硅整流器)上。在正触发脉冲加到Q2的基极端,它处于截止状态。电容器C开始充电,当达到Q3的击穿电压时,Q1触发,从而产生正脉冲和负脉冲。正脉冲反馈到Q1的基极,使Q1截止,因而把B+电源与Q2断开。这样,Q2就恢复到静态
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465 08-10
如图6.10所示,要想使得分别位于半桥驱动电路中的IGBT管Q1和Q2安全运行的条件是,Q1和Q2只能轮流地分别处于导通状态和关断状态,在逆变器运行中,决不允许Q1和Q2出现同时导通的情况出现。其后果必然导致Q1和Q2立刻短接状态,其后果必然导致Q1和Q2理科烧毁,当大功率IGBT管处于开关工作状态时,如果要使得原
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441 08-10