【技术资讯】6-A、17-V SWIFT? DC/DC 转换器

特性和优势： 1.14 引脚、3.5 x 3.5mm QFN 封装 2.工作频率为 200kHz 至 1.6MHz ，可与外部时钟同步 3.高效 26-/19-mΩ Rds(on) 集成 MOSFETs 4.过温条件下电压基准准确度为 ±1% 5.保护和性能：电源状态良好指示、启动引脚和跟踪引脚，用于进行定序 6.简单易用的可下载的 SwitcherPro? 设计工具 TPS546

【电路图】电视机U-V频道转换器

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【新品播报】ADI推出6.5 V、4 A输出DC

(ADI)，最近推出一款6.5 V、4 A输出DC-DC调节器ADP2164，其功率转换效率大于96%。这款高集成度调节器ADP2164提供2.7 V至6.5 V输入电源电压范围，输出范围低至0.6 V，内置低导通电阻开关FET，不仅能够实现最高效率，而且减少了电路板空间。

【技术资讯】英飞凌推出第三代高速600 V 和1200 V IGBT打破开关和效率界限

2010年5月18日，德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3（第三代）IGBT产品系列。

【电路图】三运放V/I转换电路图

　　采用3个运放构成输出电流可变的电流源，如下图所示。输出电流I=Vi/R1，为使R1两端的电压保持恒定，由差分放大器IC1b通过射随器IC1c监测R1两端的电位，此电位经IC1b的7脚加到比较器 ICa的反相输入端与Vref比较。比较结果使比较器的输出端变化，直到平衡为止，即Vr1=Vi。电路中的电容用于补偿ICa的频率，减少控制环路的延时。只要R1=R2=R3=R4=R5，此电路的性能较好。但此电路的带负载能力不强，环路延时补偿对电路的稳定有较大影

【新品播报】最新MDmesh V功率MOSFET技术（ST）

意法半导体（ST）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。

【技术资讯】简述V型圈的自封作用

V型圈的自封作用　　V形圈的自封作用。在自由状态下V形圈的唇部外径发育填料腔的内径，唇的内径小于活塞杆的外径。这样，装配后便有一定的变形。较高的内压能使唇尖改变接触状态和加大接触应力，使唇部与杆贴合的更紧密，介质就难通过，即使通过了第一道V形圈的唇部，压力就

【技术资讯】气动V型调节球阀概述

ZSHV气动V型调节球阀　　一、气动V型调节球阀 概述　　ZSHV气动V型调节球阀是一种具有全新设计理 念及结构的新型 V 型调节球阀，与传统的硬密封 V 型球阀 相比，密封更可靠，性能更优良。　　主要特点有：　　1、 阀座采用新型高弹性耐高温材料及特殊的热处理工 艺，密封副采用碟片式密封结构，耐磨性好，摩擦力 小，球芯不易卡死，密封优良，使用寿命长;　　2、 球芯呈特殊扇形，阀在关闭时，V 型缺口与阀座产生

【电路图】四通道A／V转换电路(CD4052)

【技术资讯】V形密封圈的选用原则

V形密封圈的选用原则 压力、速度及特性 V形橡胶密封圈V形夹织物密封圈 备注 压力小于

【新品播报】TPS61165：40 V高亮度 LED 驱动器

TPS61165：40 V高亮度 LED 驱动器；达 18V 的宽泛输入电压范围；40V、1.2A 的集成型高效率开关 FET；1.2 MHz 的开关频率；电源效率高达 90%；32 步进单线数字调光或