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解决问题:脉冲I-V测试 纳米测试小技巧 在对纳米器件进行电流-电压(I-V)脉冲特征分析时通常需要测量非常小的电压或电流,因为其中需要分别加载很小的电流或电压去控制功耗或者减少焦耳热效应。这里,低电平测量技术不仅对于器件的I-V特征分析而且对于高电导率材料的电阻测量都非常重要。利于研究人员和电子行业测试工程师而言,这一功耗限制对当前的器件与材料以及今后器件的特征
关键词:
397 08-10
新的PIV(脉冲I-V)子系统,更便于进行高介电(High-k)材料、热敏感器件和先进存储芯片等的前沿技术研究,使其测量更加准确,产品投入市场更加快速。
关键词:
439 08-10
Ramtron推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。FM28V020与其它V系列F-RAM一样,具有较高的读写速度和较低的工作电压,其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V,并采用业界标准28脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点
关键词:
377 08-10
来自美国的最新数据显示,日产Rogue(奇骏北美版)6月销量为34349辆,同比增长17.40%;本田CR-V的销量为28432辆,同比下跌3.99%。值得注意的是,在美国销量的是其最新一代CR-V,今年上半年日产Rogue的累计销量同比增幅高达31.40%,根据这一趋势,日产Rog
关键词:
330 10-24
STK392-110引脚功能的电压资料参数1地02地03静噪-17.054负电源-18.275正电源18.126B(V)入-0.097B(V)反相入-0.098负电源-18.279B(V)功率出-0.1310正电源18.1211G(V)功率输出0.0412负电源-18.2713G(V)反相入0.0114G(V)入0.0115R(V)入0.0116R(V)反相入0.0117负电源-18.2718R(V)功率输出
关键词:
5034 08-10
序号型号极性PCM(W)ICM(A)BVCEO(V)BVCBO(V)BVEBO(V)hFEVCE(SAT)fT封装外形对应型号IC(A)VCE(V)minmaxIC(A)IB(A)max(V)IC(A)VCE(V)f(MHz)min(MHz)1DK50NPN80.240060070.021010400.050.010.60.0210312TO-92TO-126130012DK50MTNPN60.1
关键词:
284 08-24
测TA8759(41)~(43)电压分别为3.8 V、3.7 V、3.7 V,正常,再测(44)~(46)脚电压均为1.3 V(正常应分别为2.5 V、2.6 V、2.5 V),出现故障时测其(57)脚电压为1.8 V,检查相关外围元件,发现C349漏电。
关键词:
290 08-10
序号型号极性PCM(W)ICM(A)BVCEO(V)BVCBO(V)BVEBO(V)hFEVCE(sat)fT封装外形对应型号IC(A)VCE(V)minmaxIC(A)IB(A)max(V)IC(A)VCE(V)f(MHz)min(MHz)1DK40
关键词:
474 08-10
(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出5个新系列铝电容器——260CLA-V、246CTI-V、250CRZ-V和246RTI-V、250RMI-V,其耐振动能力优于标准器件。Vishay BCcomponents表面贴装的260CLA-V、246CTI-V和250CRZ-V,以及径向引线
关键词:
388 08-10
常用半导体的主要技术指标a<3MHz、a≥3MHz、a<3MHz、a≥3MHz、H(MHz)H(MHz),CM(mW)CM(mA)CBO(V)CEO(V)EBO(V)E=100μACBO(μA)EB=10VCEO(μA)CE=10VEBO(μA)EB=1.5VBES(V)B=1mACES(V)B=1mAFECE=10VIc=3mAT(MHz)CE=10VIE=3mAf=100MHzL=5ΩCE=-6VIE=3mAf=100MHzob(pF)CE=10VIE=0FE色标分档(红)30~60;(绿)50~110;(蓝)90~160;(白)>150CM(mW)CM(mA)CBO(V)CEO(V)EBO(V)CBO(μA)CEO(μA)EBO(μA)BES(V)CES(V)FET(MHz)ob(pF)FE
关键词:
1756 08-10