搜索MMSZ4689-V相关的文章

【解决方案】SMF9.0AT1G的技术参数

产品型号:smf9.0at1g雪崩电压vbrmin(v):10雪崩电压vbrnom(v):10.550雪崩电压vbrmax(v):11.100it(ma):1峰值反向工作电压vrwm(v):9最大反向漏电流ir(ua):5最大反向浪涌电流ipp(a):13最大反向电压(钳位电压)vc(v):15.400芯片标识(mark):kv封装/温度(℃):sod123/-55~150价格/1片(套):￥.9

关键词：

259 08-10

【解决方案】NUP5120X6T1G的技术参数

产品型号:nup5120x6t1g雪崩电压vbrmin(v):6.200雪崩电压vbrnom(v):6.800雪崩电压vbrmax(v):7.200it(ma):1最大反向漏电流ir(na):500峰值反向工作电压vrwm(v):3最大反向浪涌电流ipp(a):－最大反向电压(钳位电压)vc(v):－最大齐纳阻抗zzt(w):－封装/温度(℃):6sot-563/-40~125描述:5线tvs价格

关键词：

360 08-10

【解决方案】NUP5120X6T2G的技术参数

产品型号:nup5120x6t2g雪崩电压vbrmin(v):6.200雪崩电压vbrnom(v):6.800雪崩电压vbrmax(v):7.200it(ma):1最大反向漏电流ir(na):500峰值反向工作电压vrwm(v):3最大反向浪涌电流ipp(a):－最大反向电压(钳位电压)vc(v):－最大齐纳阻抗zzt(w):－封装/温度(℃):6sot-563/-40~125描述:5线tvs价格

关键词：

315 08-10

【解决方案】MMQA15VT1的技术参数

产品型号:mmqa15vt1雪崩电压vbrmin(v):14.300雪崩电压vbrnom(v):15雪崩电压vbrmax(v):15.800it(ma):1最大反向漏电流ir(na):75峰值反向工作电压vrwm(v):11最大反向浪涌电流ipp(a):1.100最大反向电压(钳位电压)vc(v):21.700最大齐纳阻抗zzt(w):80封装/温度(℃):6sc-74/-55~150描述:24w

关键词：

372 08-10

【解决方案】DF6A6.8FUT1的技术参数

产品型号:df6a6.8fut1雪崩电压vbrmin(v):6.400雪崩电压vbrnom(v):6.800雪崩电压vbrmax(v):7.200it(ma):－最大反向漏电流ir(na):1000峰值反向工作电压vrwm(v):－最大反向浪涌电流ipp(a):－最大反向电压(钳位电压)vc(v):－最大齐纳阻抗zzt(w):300封装/温度(℃):6sc88/-55~150描述:四esd保护tv

关键词：

453 08-10

【解决方案】ESD5Z5.0T1G的技术参数

(v):6.200雪崩电压vbr nom.(v):－雪崩电压vbr max.(v):－it(ma):1峰值反向工作电压vrwm(v):5最大反向漏电流ir(ua):0.050最大反向电压(钳位电压)vc(v):18.600最大反向浪涌电流ipp(a):9.400典型电容（pf）

关键词：

1309 08-10

【解决方案】NZQA6V8AXV5T1的技术参数

产品型号:nzqa6v8axv5t1雪崩电压vbrmin(v):6.100雪崩电压vbrnom(v):6.800雪崩电压vbrmax(v):7.200it(ma):1最大反向漏电流ir(na):1峰值反向工作电压vrwm(v):3最大反向浪涌电流ipp(a):1.600最大反向电压(钳位电压)vc(v):13最大齐纳阻抗zzt(w):－封装/温度(℃):sot553 /-55~150描述:低电容四

关键词：

243 08-10

【解决方案】ESD5Z7.0T1G的技术参数

(v):7.500雪崩电压vbr nom.(v):－雪崩电压vbr max.(v):－it(ma):1峰值反向工作电压vrwm(v):7最大反向漏电流ir(ua):0.010最大反向电压(钳位电压)vc(v):22.700最大反向浪涌电流ipp(a):9.400典型电容（pf）

关键词：

694 08-10

【解决方案】ESD5Z3.3T1G的技术参数

(v):5雪崩电压vbr nom.(v):－雪崩电压vbr max.(v):－it(ma):1峰值反向工作电压vrwm(v):3.300最大反向漏电流ir(ua):0.050最大反向电压(钳位电压)vc(v):14.100最大反向浪涌电流ipp(a):11.200典型电容

关键词：

1039 08-10

【电路图】射频低噪声放大器电路

通过调节3SK318的偏执电路，当供电电压为5 V时，上图中有V1=4．91 V，V2=4．81 V，V3=0．99 V，V4=2．0 V，此时LNA的放大增益为20 dB。

关键词：

713 08-10

【技术资讯】支持RLDRAM 3存储器的Stratix V系列FPGA

Altera公司发布Stratix®V系列FPGA，适用于支持Micron技术公司的下一代低延时DRAM(RLDRAM®3存储器)。

关键词：

1010 08-10

扫码下载
手机洽洽

微信小程序

扫码下载手机洽洽

华强电子网公众号

华强电子网移动端

华强商城公众号

芯八哥公众号

搜索到 MMSZ4689-V 的相关文章共 10000 +条

【解决方案】SMF9.0AT1G的技术参数

【解决方案】NUP5120X6T1G的技术参数

【解决方案】NUP5120X6T2G的技术参数

【解决方案】MMQA15VT1的技术参数

【解决方案】DF6A6.8FUT1的技术参数

【解决方案】ESD5Z5.0T1G的技术参数

【解决方案】NZQA6V8AXV5T1的技术参数

【解决方案】ESD5Z7.0T1G的技术参数

【解决方案】ESD5Z3.3T1G的技术参数

【电路图】射频低噪声放大器电路

【技术资讯】支持RLDRAM 3存储器的Stratix V系列FPGA

热门标签

应用与方案

技术资讯

最近搜过

本周热料

最近搜过

扫码下载手机洽洽

微信小程序

扫码下载手机洽洽

华强电子网公众号

华强电子网移动端

华强商城公众号

芯八哥公众号

搜索到 MMSZ4689-V 的相关文章 共 10000 +条

热门标签

扫码下载
手机洽洽

搜索到 MMSZ4689-V 的相关文章共 10000 +条