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SANDISKCorporation近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell(X2)技术的64-gigabit(Gb)单块芯片。届时,SanDisk还将在其产品系列中添加一款基于19纳米工艺技术制造的3-bits-per-cell(X3)产品。SanDisk执行副总裁兼首席技
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1062 08-10
SANDISKCorporation近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell(X2)技术的64-gigabit(Gb)单块芯片。届时,SanDisk还将在其产品系列中添加一款基于19纳米工艺技术制造的3-bits-per-cell(X3)产品。SanDisk执行副总裁兼
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660 08-10
一是游戏玩家相当熟悉的扫描率(单位:Frames Per Second),二是我们今天要和大家探讨的鼠标的分辨率(单位:Dot Per Inch,简称DPI)。
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838 05-04
全球闪存卡的领导者SanDiskCorporation(NASDAQ:SNDK)近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell(X2)技术的64-gigabit(Gb届时,SanDisk还将在其产品系列中添加一款基于19纳米工艺技术制造的3-bits-per-cell(X3
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617 08-10
SANDISKCorporation近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell(X2)技术的64-gigabit(Gb)单块芯片。届时,SanDisk还将在其产品系列中添加一款基于19纳米工艺技术制造的3-bits-per-cell(X3)产品。SanDisk执行副总裁兼首
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815 08-10
美光(MicronTechnologyInc.)和英特尔公司(IntelCorporation)今天联合推出25纳米(nm)制程的3-bit-per-cell(3bpc)NAND闪存,该NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸
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578 08-10
产品型号:mc13191fc工作电压(v):2~2.4功耗(ma)@1%工作周期:0.3@发,0.37@收频段(ghz):2.4-2.5敏感度(dbm)@1%per:-91接口:spi速率(kbps):
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326 08-10
随着移动网络速度加快,桌机与智能手机间的每次浏览收入(Revenue Per Visit,简称RPV)差距持续缩小。其中智能手机的RPV从2015年初仅有桌机的两成,去年底已提升至三成。...
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145 03-19
产品型号:mc13191工作电压(v):2~2.4功耗(ma)@1%工作周期:0.3@发,0.37@收频段(ghz):2.4-2.5敏感度(dbm)@1%per:-91接口:spi速率(kbps):250
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305 08-10
把一个元件分多个部分画出来Homogeneous类型元件画法1、选中.olb文件,右键new part,弹出new part properties对话框,填入元件名称,Parts per package
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6344 08-10
该电阻在过载条件下能够安全和静音地熔断,同时阻值大于75Ω的电阻能承受per IEC 61000-4-5要求的至少2kV(1.2/50μs)的脉冲电压。
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216 03-21