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没有任何征兆,也和人们普遍预计的完全不同,Intel今天悄然推出了新一代桌面级入门平台“Cedar Trail-D”,其中处理器包括Atom D2500、Atom D2700两款,这也是Atom第一次采用对应的移动平台Cedar Trail-M和处理器Atom N2600、Atom N2800将在稍后推出,大致在今年第四季度的某
关键词:
414 08-10
符号:<address> ---(#)---参数数据类型内存区域说明<address> BOOLI、Q、M、*L、D分配位*只有在逻辑块(FC、FB、OB)的变量声明表中将L区地址声明为
关键词:
173 09-30
; BTS和BSC之间为Abis接口;MSC和PSTN之间为Ai接口;MSC和ISDN之间为Di接口; MSC和VLR之间为B接口; MSC和HLR之间为C接口; HLR和VLR之间为D接口和BSC之间为Abis接口;MSC和PSTN之间为Ai接口;MSC和ISDN之间为Di接口; MSC和VLR之间为B接口; MSC和HLR之间为C接口; HLR和VLR之间为D接口; M
关键词:
397 10-13
加 50 g无水 D-葡萄糖到 70 ml 水中并在加热盘上搅拌溶解,用水补充至 100 ml 以制备 50% ( m/V ) 的葡萄糖溶液。将 YP在一带塞的 2800 ml Fcrnbach
关键词:
504 10-21
用到许多bool变量,是放在V里还是M里呢?答:V和M基本上功能一样,但是V的内存区域大,所以一般用V存放模拟量数值和运算中间量,而M区域一般用数字量的中间继电用。V区的数据具有断电保护功能,M区的数据断电保护范围需要设置过v区比较大,而且掉电可以保存,其他功能和m差不多1、V和M没有变质的区别,地位几乎可以互换;2、V多而M少。M少可以使指令码短,存贮和执行效率提高。3、M有规定的一些使用,比如
关键词:
1972 10-20
楼主的问题非常专业,涉及到plc内部存储区的知识,这里简要说明一下,所谓M指令的静态和动态解码区别主要在于plc允许M指令执行的时间间隔,譬如对于M指令的静态解码,必须要等到plc的一个扫描周期,才能够允许执行M指令的静态解码,即必须要等到plc的一个扫描周期,才更新M指令输出,否则即使触发M指令输出的条件发生变化,M指令也不会输出。而M指令的动态解码是指M指令的立即读写功能,即不必等待一个plc
关键词:
257 10-12
问:用到许多bool变量,是放在V里还是M里呢?答:V和M基本上功能一样,但是V的内存区域大,所以一般用V存放模拟量数值和运算中间量,而M区域一般用数字量的中间继电用。V区的数据具有断电保护功能,M区的数据断电保护范围需要设置过v区比较大,而且掉电可以保存,其他功能和m差不多1、V和M没有变质的区别,地位几乎可以互换;2、V多而M少。M少可以使指令码短,存贮和执行效率提高。3、M有规定的一些使用,
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340 10-13
问:SIEMENSS7-200plc写的一个大型的程序,假如在程序的中间有个M点被置位,请问这个M点下面的所有的触头是马上动作呢?还是等到下一个扫描周期才开始动作啊?M点下面的所有的触头意思是CPU刚好执行到M点的线圈被置位这个网络,M点所有的触头都在这个网络的下面,还没有被执行到。答:m点置位后,后面的程序中m点变成1,如果在后面程序中对m点再置零,则置零点后面的程序中m点又变为0在程序中被使用
关键词:
367 10-13
ADP150:UltralowNoise,150mACMOSLinearRegulatorTheADP150isanultralownoise(9μV),lowdropout,linearregulatorthatoperatesfrom2.2Vto5.5Vandprovidesupto150mAofoutputcurrent.Thelow105mVdropoutvoltageat150mAloadimprovesefficiencyandallowsoperationoverawideinputvoltagerange.Usinganinnovativecircuittopology,theADP150achievesultralownoiseperformancewithoutthenecessityofanadditionalnoisebypasscapacitor,makingi
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856 08-10
机芯机型行输出型号 37CD445QDBSC22-N01、BSC22-M、BSC22-0303、TLF14610F 37CD445QDX(粗)BSC22-N01、BSC22-M、TLF14653F TC484QD(细)BSC22-0303、TLF14610F TC817QD(粗)BSC23-0101、BSC23-0301、BSC23-N01、BSC23-M、
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1220 08-10
ThermalConductivity GaAs:46W/m-K GaP:77W/m-K Si:125~150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC:490W/m-K 2、通过金属层来接合
关键词:
552 08-10