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【技术资讯】三款新型500V N沟道功率MOSFET

VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET---SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该

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690 08-10

【技术资讯】Applied Materials发布E3设备及工艺控制解决方案产能提高30%

Applied Materials日前宣布推出先进的设备及工艺解决方案——Applied E3(TM)工厂自动化软件包，应用在半导体、平板显示器及太阳能制造中旨在提高生产力降低生产成本。Applied E3系统能够提高产能30%，减少非计划性停机时间、并缩短周期时长，从而整体设备效率的提升幅度达20%。Applied E3独特性地整合了关键设备自动化及工艺控制元件，为当今市场提供了最为灵活、易于操

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691 08-10

【技术资讯】蝙蝠FS-40型落地扇遥控/键控失效

其工作原理：220V交流电压经R36限流、C3降压、D2整流后为电容器E3充电。Dl为C3的续流二极管，目的是在D2截止时泄放掉C3所充左负右正的电压，为下半周电流经C3为E3充电扫清障碍。E3上电压再经R33限流、ZD1稳压(1N4733，5.1V)后，输出控制电路所需的-5V供电电压。

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1268 08-10

【技术资讯】Vishay推出新款500V N沟道功率MOSFET SiHF8N50L-E3

　　Vishay推出新款500VN沟道功率MOSFET---SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。　　SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。　　

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864 08-10

【技术资讯】功率放大器可靠性的新标准

其中： t1=温度t1的平均故障时间 t2=温度t2的平均故障时间 ea=活化能 (制程特性) t1=计算t1时的温度(开氏温度) t2=计算t2时的温度(开氏温度) 方程式(1)

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330 08-10

【技术资讯】科之星电磁炉故障代码

错误代码故障部位EO锅具不对E1欠压E2过压E3过稳保护E4电源不符

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476 08-10

【电子速递】酷派双棒t1多少钱？酷派双棒t1什么时候上市？

　　酷派双棒t1价格多少钱?什么时候上市？下文将揭晓酷派t1报价及上市时间，双棒是酷派与中国电信联合推出的品牌，其首款产品就是T1，支持电信4G网络哦~那么价格是多少呢?　昨日的发布会现场，官方公布了酷派双棒T1其售价为售价为1299元，酷派双棒T1将于7月上市。双棒T1为中国电信战略定制4G手机，也是酷派双棒新品牌4G制式首款双卡双通产品。　　酷派双棒T1搭载1.2GHz高通骁龙MSM8926

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217 07-01

【电路图】大宇赛手轿车前照灯电路原理图

2挡接通上述灯具外，还经继电器K4接通前照灯(大灯)的56线，用变光超车开关S5可以控制远光E3、E5或近光E4、E6，用按钮接通E3、E5发出超车信号。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　如图大宇赛手轿车前照灯电路原理图E3-左大灯远光；E4-左大灯近光；E5-右

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5914 08-10

【新品播报】Vishay新款N沟道功率MOSFET 开关速度和损耗得到改善

Vishay目前宣布推出新一代500VN沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。SiHF8N50L-E3改善了

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350 08-10

【新品播报】8550 贴片(Si9185DMP-50-T1)

【互换兼容】Si9185DMP-50-T1【8550 贴片(Si9185DMP-50-T1)的原

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101 04-18

【新品播报】7136 贴片(Si91871DMP-36-T1)

【互换兼容】Si91871DMP-36-T1【7136 贴片(Si91871DMP-36-T1)的原厂

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115 04-18

【新品播报】71285 贴片(Si91871DMP-285-T1)

【互换兼容】Si91871DMP-285-T1【71285 贴片(Si91871DMP-285-T1

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171 04-18

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