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【新品播报】FFA76028U(F) 彩显行输出变压器

【用　途】行输出变压器【性能参数】1-2 4-8-9-10 【互换兼容】0X1144

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301 08-10

【电路图】单脉冲信号产生电路f

单脉冲信号产生电路f示为单脉冲信号产生电路，如利用开关触点之类的信号对数字信号进行复位操作，或是要形成停机信号，可采用这种单脉冲产生电路。这种电路是一种非同步微分电路．

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192 12-12

【新品播报】AN260P

【性能参数】双列14脚封;电源电压Vee=-9V;允许功耗Pd=300mA;表驱动电流=0.45mA;调谐指示驱动电流0.35mA～0.55mA(Vi=100uV-400dB,f=10.7MHz),调频中放检波输出电压=8mV～16mV(Vi=100uV-400dB,f=10.

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448 08-10

【新品播报】AN259

【用　途】调频变频中放电路【性能参数】双列14脚封装;电源电压VCC=16V;允许功耗Pd=280mW;射频输出电压=63mV～132mV(3-2脚增益 f=455kHz,Vi=10mV);稳定电压V2=6.5V～8.84V;振荡电压=147mV～213mV(f=1.455MHz);混频输出电流=43

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331 08-10

【技术资讯】苏泊尔C21A01型电磁炉按火锅键，1400W指示灯闪一下即灭

拆机测量0.3μF、5μF电容正常，测量Rl01( 820kΩ)阻值无穷大，更换Rl01后试机一切正常。

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1050 08-10

【技术资讯】fimicro将Ramtron存储器用于其新型PC/104

宣布位于德国的嵌入式软件和硬件供应商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 pc/104 兼容单板计算机 (SBC) 和智能 I/O 扩展模块中，采用了 Ramtron 的非易失性 F-ramfimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太网和 USB 板的设计中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM，以取代 active104 系统中的Flash、SRAM 和 EEPROM 存储器技术，因为Ramtron 的 F-RAM 器件

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828 08-10

【解决方案】RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器VRS51L307

非易失性铁电随机存取存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出带2kb非易失性f-ram以8051为基础的微控制器(mcuramtron将f-ram添加到其快速灵活的versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量

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321 08-10

【解决方案】周期函数分解为傅里叶级数 -解决方案-华强电子网

　　1．数学上的傅里叶分解　　满足狄里赫利条件的周期函数f(t)总可以分解为如下的傅里叶级数：　　(8.1)　　：的角频率；T：f(t)的周期；A0、ak和bk：傅里叶系数。　　A0是函数f(t)在一个周期内的平均值：　　(8.2)　　将它们代入式(8.1)即得到周期函数f(t)的傅里叶展开式。　　2．傅里叶级数三角函数形式　　设、代入式(8.1)。　　

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171 10-01

【电路图】光耦合v／F变换电路图

本电路具有变换0~10V输入电压为光隔离器输出端相应频率的作用。RM4151变换器与RC3403四运算放大器组合，使用时具有高线性。四运算放大器、积分器、稳压器及发光二极管激励器。

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542 08-10

【新品播报】Ramtron推出并行256-K F-RAM FM28V02

FM28V020 256K并行非易失性F-RAM快速存取时间为60ns，工作电压为2.0~3.6V。该IC为32kx8结构,采用标准28引脚SOIC封装.

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377 08-10

【新品播报】意法推出STM32 F-2微控制器

意法半导体(ST)日前宣布针对工业控制、消费电子、医疗电子、智能楼宇等众多市场应用，推出全新STM32F-2微控制器产品系列。旨在通过整合90nm制程与自适应实时存储器加速器(ARTAccelerator)，实现处理器与存储器之间的互动优化以及闪存代码执行零等待状态，从而将Cortex-M3架构的处理性能发挥到极致。ST全球微控制器市场部经理RenaudBouzereau介绍说，当以120MHz速度从闪存执行代码时，STM32F-2的处理性能最高可达150DMIPS，动态功耗

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823 08-10

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