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【技术资讯】Vishay推出新款500V N沟道功率MOSFET SiHF8N50L-E3

　　Vishay推出新款500VN沟道功率MOSFET---SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。　　SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。　　

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869 08-10

【技术资讯】科之星电磁炉故障代码

错误代码故障部位EO锅具不对E1欠压E2过压E3过稳保护E4电源不符

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480 08-10

【电路图】大宇赛手轿车前照灯电路原理图

2挡接通上述灯具外，还经继电器K4接通前照灯(大灯)的56线，用变光超车开关S5可以控制远光E3、E5或近光E4、E6，用按钮接通E3、E5发出超车信号。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　如图大宇赛手轿车前照灯电路原理图E3-左大灯远光；E4-左大灯近光；E5-右

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5919 08-10

【新品播报】Vishay新款N沟道功率MOSFET 开关速度和损耗得到改善

Vishay目前宣布推出新一代500VN沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。SiHF8N50L-E3改善了

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351 08-10

【新品播报】Vishay发布新系列防脉冲且耐硫的厚膜电阻

（NYSE 股市代号：VSH）宣布，针对汽车、工业和医疗应用，推出具有防脉冲和良好耐硫能力的新系列厚膜片式电阻--- Vishay Draloric RCA-IF e3。Vishay Draloric RCA-IF e3系列器件具有优异的抗浪涌和脉冲的特性，耐硫能力符合ASTM B809 95的要求，在90℃下测试了1000小时，可用于

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321 08-10

【技术资讯】DS3170 DS3/E3成帧器和LIU(单芯片收发器)

DS3170集成了DS3/E3成帧器和LIU(单芯片收发器)，与DS3/E3物理层铜缆接口。DS3170是由软件设置的DS3/E3单芯片收发器(SCT)。线路接口单元(LIU)具有独立的收发通道。

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865 08-10

【新品播报】Vishay推出新型TNPU e3系列

vishay推出新型tnpu e3系列高精度薄膜扁平片式电阻，外壳尺寸分别为0603、0805和1206。vishay的新型tnpu e3薄膜扁平片式电阻融合了tnpw e3产品成熟的可靠性与先进的精度水平。

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245 08-10

【新品播报】BAR99

【用　途】贴片硅高速开关二极管【性能参数】硅 70V 250mA【互换兼容】E3

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446 08-10

【解决方案】Vishay针对工业和医疗应用推出新款高电压厚膜片式电阻

（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列厚膜片式电阻---RCV e3，以满足工业和医疗应用对高电压器件的需求，同时节省宝贵的PCB空间。Vishay Draloric RCV e3器件采用0805和1206外形尺寸，限定芯电压分别为400V和500V。 RCV

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09-06

【技术资讯】20W超低功耗版上市可兼容P67

Sandy Bridge架构处理器中，桌面型号热设计功耗最低的也有35W，移动型号中的超低压版本虽然能够低至区区17W但仅用于OEM品牌机，零售用户无缘得见，不过在Xeon E3系列服务器型号中Xeon E3-1200系列处理器面向单路服务器与工作站市场，也是基于Sandy Bridge内核架构，封装接口都和桌面一样是LGA1155，其中的Xeon E3-1220L”热设计功耗只有

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846 08-10

【技术资讯】stc单片机做的电子表

lt;stc90.h> #defineucharunsignedchar #defineuintunsignedint uchard0,ss,gs,sf,gf,sm,gm; uchare1,e2,e3

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530 08-10

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