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【用 途】 场效应开关管 【性能 参数】N沟 30V 1A 1W 240/950ns Ron=1Ω 【互换 兼容】TN0104N8
关键词:
188 08-10
【用 途】 用于VHF射频段/高频放大场效应管【性能 参数】N沟 20V 30mA 150mW 100MHz Nf=1.7dB 【互换 兼容】TN0104N8
292 08-10
代 表 公 司 GTE 美国微电路公司 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介
350 08-10
【用 途】 连程式传感器【性能 参数】G-305技术参数:工作电压:DC11-15V压力范围:-30IN/Hg—0—2BAR输出电压:0V—1.333V—4V误差范围:1%工作温度:20℃—100℃ 温度范围
406 08-10
封装代码 封装描述 资料 LCC-G 68-PIN CeramIC LCC (下载)
329 08-10
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】
291 08-10
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 1A Vf=1.2V Lfsm=20A 【互换 兼容】
263 08-10
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】
361 08-10
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】
317 08-10
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】
176 08-10
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 100V 0.3A Vf=1.2V Lfsm=6A 【互换 兼容】
343 08-10
【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 600V 0.2A Vf=1.2V Lfsm=4A 【互换 兼容】
270 08-10