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(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402 e3(LTW0402 e3 96/4)和TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4),它们可帮助工程师开发原型
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346 08-10
Vishay推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的
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476 08-10
1N4148是点接触型的小电流整流管,速度高,不过电流才50mA,1N5819二极管的另一个用途是稳压--利用反向特性。所以,耐压底,而电流又不大的时候,可以考虑用稳压管代替。1N5819管的反向漏电比较大一点。但是电容小。速度快。但是还没1N4148快
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574 04-10
(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V
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323 08-10
英特尔日前在上海召开“至强”E3(代号Bromolow)处理器发布会,展示了以“至强”处理器E3家族产品为核心的服务器产品和解决方案。 “至强”处理器E3家族产品是一款入门级的服务器,相比上一代服务器和桌面系统,“至强”E3处理器拥有更高的性能,可满足苛刻的工作负载需求,其计算能力更强大、故障更少、信息访问更容易,用户可提高工作效率,更快地对业务做出响应基于“至强E3”处理器的服务器能够保
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364 08-10
(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑,具有低至63ns的trr和114nC的Qrr,栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善
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289 08-10
Vishay推出500VN沟道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款500VN沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑,具有低至63ns的trr和114nC的Qrr,栅极电荷为34nC。SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性,从而能够更好地抵御EMI,实现更高的效率,同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。Vishay今天推出的新MOSFET
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618 08-10
(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列长边接头厚膜贴片电阻 --- RCL e3。新电阻的外形尺寸为0612和1218,功率等级高达1.0W,可耐受高温循环。RCL0612 e3和RCL1218 e3通过了AEC-Q200 Rev. C认证,其宽大的端头实现了高功率耗散。在密集堆
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344 08-10
(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑,具有低至63ns的trr和114nC的Qrr,栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性,从而能够更
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363 08-10
今天Intel低调地发布了Skylake架构至强E3-1200 v5家族处理器,本来以为平民神器E3-1230后继有人,但有个天大的悲剧消息——Intel的至强E3处理器很有可能只能用在服务器级主板上,也就是说至强E3-1230 v3+H81/B85这样的黄金搭档要被Intel一刀砍死,服务器处理器就得搭配服务器级主板,就是这么霸道!
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351 08-10