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首页> 文章搜索> 1N5820-E3/54

搜索到 1N5820-E3/54 的相关文章 共 1746 条

  • 【技术资讯】E3-1230v5和i7-6700K哪个好?E3-1230v5和i7-6700K对比分析

    随着Intel六代Skylake处理器上市，目前六代代E3-1230 v5与i7 6700k新高端处理器都已经上市，不过E3-1230 v5神U只能支持C232芯片（X150）的主板，不支持六代100系列主板那么，E3-1230v5与i7-6700k哪个好呢？下面小编为大家带来了E3-1230 V5和i7-6700K对比，看看六代i7 6700K和E3-1230 v5都有

    关键词：

    303 05-10

  • 【新品播报】SiHF12N50C-E3

    【用　途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 36W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】F12N50C-E3

    关键词：

    441 08-10

  • 【新品播报】B12N50C-E3

    【用　途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】SiHB12N50C-E3

    关键词：

    375 08-10

  • 【新品播报】SiHB12N50C-E3

    【用　途】 功率场效应管【性能 参数】N沟 500V 12A 208W RDS(on)=0.555 带阻尼【互换 兼容】B12N50C-E3

    关键词：

    425 08-10

  • 【新品播报】Vishay推出增强热循环性能的新型车用电阻

    将器件尺寸扩展到0406和1225，为汽车电路提供增强的热循环性能，功率提高到2.0WVishay 推出采用0406和1225外形尺寸的新器件--- RCL0406 e3和RCL1225 e3，扩充其RCLe3系列长边端接厚膜片式电阻。对于汽车电子电路和通用产品，RCL0406 e3和RCL1225 e3提供了增强的热循环性能，功率等级分别提高到0.25W和2.0W。 2014-7-2 13:1

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    299 08-10

  • 【新品播报】Xeon E3-1200

    更高端的“xeon e3-1290”又被迅速曝了出来。日本厂商japan computing systems近日针对xeon e-1200/core i3-2100系列鸿喜电子面向入门级单路服务器与工作站的xeon e3-1200系列处理器刚刚发布，新款高端型号就曝光了

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    368 08-10

  • 【新品播报】P89C54-52-54-58BP

    【用　途】 【性能 参数】【互换 兼容】

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    292 08-10

  • 【新品播报】Vishay发布新款高稳定性薄膜片式电阻实验室样品套件

    （NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402 e3(LTW0402 e3 96/4)和TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)，它们可帮助工程师开发原型

    关键词：

    346 08-10

  • 【新品播报】超低导通电阻和栅极电荷的500V、12A N沟道功率MOSFET（Vishay

    Vishay推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的

    关键词：

    476 08-10

  • 【新品播报】Vishay Siliconix 推出三款新型500V N沟道功率MOSFET

    （NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V

    关键词：

    323 08-10

  • 【技术资讯】英特尔在上海发布“至强”E3处理器

    英特尔日前在上海召开“至强”E3（代号Bromolow）处理器发布会，展示了以“至强”处理器E3家族产品为核心的服务器产品和解决方案。　　　　“至强”处理器E3家族产品是一款入门级的服务器，相比上一代服务器和桌面系统，“至强”E3处理器拥有更高的性能，可满足苛刻的工作负载需求，其计算能力更强大、故障更少、信息访问更容易，用户可提高工作效率，更快地对业务做出响应基于“至强E3”处理器的服务器能够保

    关键词：

    364 08-10

  • 【新品播报】Vishay推出500V N沟道功率MOSFET

    （NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善

    关键词：

    289 08-10

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