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(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V
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328 08-10
英特尔日前在上海召开“至强”E3(代号Bromolow)处理器发布会,展示了以“至强”处理器E3家族产品为核心的服务器产品和解决方案。 “至强”处理器E3家族产品是一款入门级的服务器,相比上一代服务器和桌面系统,“至强”E3处理器拥有更高的性能,可满足苛刻的工作负载需求,其计算能力更强大、故障更少、信息访问更容易,用户可提高工作效率,更快地对业务做出响应基于“至强E3”处理器的服务器能够保
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370 08-10
(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑,具有低至63ns的trr和114nC的Qrr,栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善
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293 08-10
Vishay推出500VN沟道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款500VN沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑,具有低至63ns的trr和114nC的Qrr,栅极电荷为34nC。SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性,从而能够更好地抵御EMI,实现更高的效率,同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。Vishay今天推出的新MOSFET
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628 08-10
(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列长边接头厚膜贴片电阻 --- RCL e3。新电阻的外形尺寸为0612和1218,功率等级高达1.0W,可耐受高温循环。RCL0612 e3和RCL1218 e3通过了AEC-Q200 Rev. C认证,其宽大的端头实现了高功率耗散。在密集堆
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348 08-10
(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑,具有低至63ns的trr和114nC的Qrr,栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性,从而能够更
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369 08-10
今天Intel低调地发布了Skylake架构至强E3-1200 v5家族处理器,本来以为平民神器E3-1230后继有人,但有个天大的悲剧消息——Intel的至强E3处理器很有可能只能用在服务器级主板上,也就是说至强E3-1230 v3+H81/B85这样的黄金搭档要被Intel一刀砍死,服务器处理器就得搭配服务器级主板,就是这么霸道!
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361 08-10
;;; 在多级放大电路中,随着SI4431DY-T1-E3级数的增加,其通频带变窄,且窄于任何一级放大电路的通频带。下面以两级共发射极阻容耦合放大电路为例,分析多级放大电路的通频带变窄的原因。
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2290 08-10
器件采用薄膜技术,具有低至±0.05%的容限,TCR低至±5ppm/K,外壳尺寸分别为0603、0805和1206Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型TNPU e3系列高精度薄膜扁平片式电阻Vishay的新型TNPU e3薄膜扁平片式电阻融合了TNPW e3产品成熟的可靠性与先进的精
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391 08-10