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后将与场偏转相并联的电容由0.22μF改为O.1μF,场输出级电流降为正常的300mA,故障排除。
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575 08-10
下面是 [减法/差分比例运算电路]的电路图 减法/差分比例运算电路:运算关系: u o = R f R 1 ( u i1 − u i2 ) 设置 R 1 = 1 k Ω , Rf = 10 k Ω 实验内容:1.观察输出与输入相位关系设置 ui1=2V , ui2=1V 用示波器分别观察输出uo与输入的相位关系。2.验证运算关系用万用表交流档测量输出电压 U o = 10 V 结
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6181 08-10
RamtrONInternationalCorporation宣布位于德国的嵌入式软件和硬件供应商fimicro已在其新型的active104系列pc/104兼容单板计算机(SBC)和智能I/O扩展模块中,采用了Ramtron的非易失性F-ram存储器。fimicro已在其active104SBC、RAID、以太网和USB板的设计中使用了Ramtron的FM22L164兆位(Mb)并行F-RAM,以取代active104系统中的Flash、SRAM和EEPROM存储器技术,因为Ramtron的F-RAM器件具有非易失性、NoDelay™(无延迟)写入能力及
关键词:
372 08-10
盛群半导体推出了HT47R10A-1的Mask版本HT47C10-1,HT47C10-1的工作电压为2.2V~5.5V、ROM为1k×16、RAM为32 bytes、I/O最多为8埠、LCD最多可驱动36点、提供一组16bits计时计数器与单一通道的R-F转换器。 HT47C10-1的R-F功能为经由电阻到频率的转换,可应用于电阻值量测,并进而执行控制动作或显
关键词:
320 08-10
更换HEF4052的(5)脚外接Z253第二伴音选择器;用O.01 μ F电容跨接于其(5)与(3)脚,以判断该IC(9)、(10)脚引入制式切换控制信号正常否,若仍不正常,可考虑更换N240。
关键词:
274 08-10
非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布位于德国的嵌入式软件和硬件供应商fimicro已在其新型的active104系列PC/104兼容单板计算机(SBC)和智能I/O扩展模块中,采用了Ramtron的非易失性F-RAM存储器。fimicro已在其active104SBC、RAID、以太网和USB板的设计中使用了Ramtron的FM22L164兆位(Mb)并行F-RAM,以取代active104系统中的Flash、SRAM和EEPROM
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846 08-10
测量N240单片机(26)脚(色饱和度控制端)电压,如能调到2.5 V以上,可用l μ F电容跨接于其(29)、(30)间试机:如不能调到2 V以上一依次测量(10)脚+8 V电源端(7.5~8.5V)、(38)脚沙堡脉冲输入(O.4~1.6 V)、(35)脚副载波振荡(约1.8 V)、(33)脚APC滤波(3.5 V)电压;更换(350脚外接BCl50副载波晶体,用O
关键词:
513 08-10
该电路采用了14脚封装的LM380作为放大器件,输入信号经音量控制电位器Rp(20kΩ)和22μF的耦合电容加到运放LM380的反相输入端(引脚6),其同相输入端(引脚2)接地,引脚1外接10μF的滤波电容,以滤除高频纹波干扰,电路采用16V单电源供电,并在电源端(引脚14)到地之间外接470μF的去耦电容,其输出端(引脚8)到地之间有两个并联支路:一支路由2.7&O
关键词:
603 08-10
产品特点-;兼容en 50121-3-2,en 50121-4和en 50155基本部分 -;支持宽温,工作温度可达-40~85℃ (-40 ~ 185°f)-;所有i/o通道支持通道与通道的隔离保护,提供最可靠的数据传输-;m12连接头和弹簧式接线端子,在振动环境下依然可提供高可靠的i/o接线-;支持通用协议:modbus/tcp, http, tcp/ip, udp, dhcp和bootp-;
关键词:
453 08-10
进入维修模式的方法是:同时按住遥控器上的F”键和AV”键,接着依次按遥控器上的数字键1、O、4、8”,屏幕的右上方显示绿色的M”字符,表示已经进入维修模式在维修模式下,同时按遥控器上的F”和数字键&ldq
关键词:
480 08-10
进入维修模式的方法是:同时按住遥控器上的F”键和AV”键,接着依次按遥控器上的数字键1、O、4、8”,屏幕的右上方显示绿色的M”字符,表示已经进入维修模式在维修模式下,同时按遥控器上的F”和数字键&ldq
关键词:
333 08-10
在低频运行时,通过适当补偿定子电压,以抵消阻抗压降份额增大的影响,使反电动势和磁通得到补充,从而增大低频时带负载能力的方法,称为V/F控制方式。<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />如图(a)所示,曲线①是电压与频率成正比时的U/f线。
关键词:
224 10-12